[发明专利]硅化钨成膜工艺方法

说明书

本发明公开了一种硅化钨成膜工艺方法，包括如下步骤：步骤一、提供一基片。步骤二、进行第一次加热处理以去除基片上的水汽。步骤三、进行第二次加热处理，对五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理；同时进行第一次气体吹扫。步骤四、在硅化钨成膜工艺腔中进行第二次气体吹扫，之后进行硅化钨成膜。本发明能防止硅化钨鼓包的形成，防止器件失效。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种硅化钨成膜工艺方法。

背景技术

硅化钨薄膜具有高熔点和低电阻率的优点，在大规模集成电路制造中应用广泛，常常用来改善硅和金属电极之间的欧姆接触。如MOS管的多晶硅栅极的顶部常常通过在多晶硅层顶部形成一层硅化钨来提升栅极的导电性能，MOS管的源漏极也能通过在源漏区表面形成硅化钨来降低源漏极的接触电阻。

现有硅化钨形成工艺中，一般需要在硅化钨成膜工艺前采用气态氢氟酸(VHF)来对硅表面的进行清洗以去除硅表面的自然氧化层。虽然VHF能够将自然氧化层去除，但是当多晶硅中掺杂由磷杂质时，磷会析出到多晶硅表面，并且在硅化钨成膜之前基片所处的环境中会有空气和水蒸气等存在，导致发生以下反应：

4P+5O₂→2P₂O₅；

2P₂O₅+H₂O→HPO₃。

从磷(P)到五氧化二磷(P₂O₅)、再到偏磷酸(HPO₃)，杂质颗粒会逐渐变大，但是尺寸都小于0.1微米，普通的光学检测设备很难检测得到，而现有技术中采用的VHF清洗方法却无法清洗上述杂质，所以最后在硅化钨成膜后会将上述杂质颗粒的缺陷放大，形成硅化钨鼓包，并会使器件失效。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种硅化钨成膜工艺方法，能防止硅化钨鼓包的形成，防止器件失效。

为解决上述技术问题，本发明提供的硅化钨成膜工艺方法包括如下步骤：

步骤一、提供一基片，所述基片上形成的膜层包括用作MOS晶体管栅极导电层的多晶硅层，在所述多晶硅层中进行了磷掺杂。

步骤二、进行第一次加热处理以去除所述基片上的水汽。

步骤三、进行第二次加热处理，该第二次加热处理用于对所述多晶硅层表面由磷析出形成的五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理；同时，对所述基片表面进行第一次气体吹扫以去除断键处理后的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质。

步骤四、将所述基片放置到硅化钨成膜工艺腔中，将所述硅化钨成膜工艺腔升温到硅化钨成膜工艺温度后对所述基片表面进行第二次气体吹扫，该第二次气体吹扫用于确保残留的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质被进一步的去除；之后开始在所述基片上进行硅化钨成膜。

进一步的改进是，步骤二中的所述第一次加热处理采用低真空气氛，所述低真空气氛的真空范围为3×10^-6托～9×10^-6托，温度为250℃±20℃，处理时间为40秒。

进一步的改进是，步骤三中的所述第二次加热处理采用高真空气氛，所述高真空气氛的真空范围为5×10^-7托～1×10^-8托，温度为200℃±20℃，处理时间为60秒；所述第一次气体吹扫采用氩气吹扫，气体流量80sccm。

进一步的改进是，步骤五中的所述硅化钨成膜工艺温度为200℃±20℃；所述第二次气体吹扫采用氩气吹扫，气体流量为80sccm，处理时间为20秒。