[发明专利]一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 201410234468.7 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104009089B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;李春来;杨银堂;马剑冲;袁嵩 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 psoi 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【权利要求书】：
1.一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，包括：
分别位于半导体衬底表面上两侧且相互不邻接的浓度渐变型埋层和介质埋层，其中，浓度渐变型埋层靠近基区一侧，介质埋层靠近漏区一侧；
基区位于浓度渐变型埋层表面，源区位于基区表面；
漂移区与基区相邻接，位于浓度渐变型埋层、介质埋层以及这两者之间的半导体衬底中部共同形成的表面；
漏区位于漂移区表面；
所述浓度渐变型埋层的掺杂类型与半导体衬底的掺杂类型相同，掺杂浓度大于半导体衬底的掺杂浓度，浓度渐变型埋层的掺杂浓度从源区到漏区方向呈整体递减趋势。
2.根据权利要求1所述的PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述浓度渐变型埋层的掺杂浓度从源区到漏区方向梯度递减或者线性降低。
3.根据权利要求1所述的PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述浓度渐变型埋层的横向长度小于漂移区的横向长度。
4.根据权利要求1所述的PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述浓度渐变型埋层的横截面为规则图形。
5.根据权利要求1所述的PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述浓度渐变型埋层的纵截面为规则图形。
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