[发明专利]一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410234520.9 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104009076B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;袁嵩;杨银堂;郭海君 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 algan gan 异质结 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，包括：
半绝缘衬底；
位于所述半绝缘衬底上外延生长的GaN缓冲层；
位于所述GaN缓冲层上异质外延生长的AlGaN层；
分列于所述AlGaN层上的源极、栅极以及漏极；
位于所述AlGaN层上栅极与漏极之间生长的表面钝化层，
其特征在于：
所述表面钝化层内具有调制沟道载流子浓度的电荷补偿层。
2.如权利要求1所述的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于，所述电荷补偿层是通过在表面钝化层注入正电荷和负电荷形成的。
3.如权利要求1所述的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于，所述栅极通过肖特基接触与所述AlGaN层相连。
4.如权利要求1所述的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极均通过欧姆接触与所述AlGaN层相连。
5.如权利要求1所述的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于，所述半绝缘衬底为能够与所述GaN缓冲层异质外延的半绝缘材料。
6.如权利要求5所述的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于，所述半绝缘材料为硅、蓝宝石或碳化硅。
7.如权利要求1所述的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于，所述外延生长的GaN缓冲层具有n型电阻特性或半绝缘特性。
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