[发明专利]陶瓷基板的涂覆钻孔方法、涂层溶胶及涂覆装置

权利要求书

1.一种陶瓷基板的涂覆钻孔方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、配制涂层溶胶；

S2、将涂层溶胶涂覆于陶瓷基板上，并形成薄膜；

S3、采用激光器对陶瓷基板进行钻孔；

S4、分离陶瓷基板上的薄膜。

2.根据权利要求1所述的涂覆钻孔方法，其特征在于：所述S1步骤中涂层溶胶配制包括：

(1)聚氯乙烯、碳纳米颗粒、分散剂和偶联剂按一定质量百分比进行混合，通过搅拌器搅拌均匀形成混合物；

(2)将上述混合物溶于四氢呋喃中，该四氢呋喃的量大于混合物的量，形成黑色悬浊液溶胶；

其中，所述混合物中的聚氯乙烯的质量百分比是92％～95％，碳纳米颗粒的质量百分比是4％～6％，分散剂的质量百分比是0.3％～0.8％，偶联剂的质量百分比是0.6％～1.2％。

3.根据权利要求2所述的涂覆钻孔方法，其特征在于：所述的聚氯乙烯、碳纳米颗粒、分散剂和偶联剂按质量百分比为93.9％：4.69％：0.47％：0.94％进行混合。

4.根据权利要求2所述的涂覆钻孔方法，其特征在于：所述碳纳米颗粒的制备方法包括：

(1)将氮化钠和聚四氟乙烯按摩尔比为4：1的比例混合；

(2)将上述混合后的氮化钠和聚四氟乙烯装入反应釜中至500～600℃后恒温8～12小时；

(3)冷却至室温后洗涤，再在50～70℃温度下真空干燥4～6小时，得到碳纳米颗粒。

5.根据权利要求2所述的涂覆钻孔方法，其特征在于：所述的搅拌器是电磁搅拌器，该电磁搅拌器的转速为250～350转/分。

6.根据权利要求1所述的涂覆钻孔方法，其特征在于：所述的S2步骤中，所述涂层溶胶通过涂覆装置涂覆于陶瓷基板上，该涂覆装置包括旋转平台，陶瓷基板放置于该旋转平台上，该旋转平台的旋转速度为2500～3500转/分。

7.根据权利要求1所述的涂覆钻孔方法，其特征在于：所述S3步骤的激光频率是0.3～0.5kHz，脉宽的是0.1～0.3ms，钻孔速度是300～500孔/s。

8.一种用于陶瓷基板的涂层溶胶，其特征在于：包括聚氯乙烯、碳纳米颗粒、分散剂和偶联剂混合形成的混合物，以及过量的溶剂；

其中，所述混合物中的聚氯乙烯的质量百分比是92％～95％，碳纳米颗粒的质量百分比是4％～6％，分散剂的质量百分比是0.3％～0.8％，偶联剂的质量百分比是0.6％～1.2％。

9.根据权利要求8所述的涂层溶胶，其特征在于：所述的聚氯乙烯、碳纳米颗粒、分散剂和偶联剂按质量百分比为93.9％：4.69％：0.47％：0.94％进行混合。

10.根据权利要求9所述的涂层溶胶，其特征在于：所述溶剂是四氢呋喃，分散剂是硬脂酰胺，偶联剂是铝酸脂。

11.一种陶瓷基板涂层的涂覆装置，包括控制单元，其特征在于：还包括用于承载陶瓷基板的旋转平台，该旋转平台与一动力装置相连接；用于盛装涂层溶胶的盛液箱，该盛液箱包括一液嘴，该液嘴设置于旋转平台的上方。

12.根据权利要求11所述的涂覆装置，其特征在于：所述的旋转平台上连接有一真空泵，旋转平台上设置有吸附并固定陶瓷基板的吸附孔。

13.根据权利要求12所述的涂覆装置，其特征在于：所述的控制单元包括：

用于控制电机转速的电机控制模块；

用于控制真空泵产生负压吸附陶瓷基板的真空泵控制模块；

以及用于控制盛液箱内涂层溶胶滴出量的溶胶控制模块。