[发明专利]复合八梁高频响加速度传感器芯片有效
| 申请号： | 201410234752.4 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103995151B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;王鹏 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01P15/135 | 分类号： | G01P15/135 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 高频 加速度 传感器 芯片 | ||
1.复合八梁高频响加速度传感器芯片，包括硅基底(1)和键合于硅基底(1)背面的硼玻璃衬底(2)，硅基底(1)的中心空腔内配置有悬空质量块(5)，其特征在于：四个相同的短小敏感梁(3)沿着悬空质量块(5)的一组对边对称排布，四个宽大支撑梁(4)分别与悬空质量块(5)的另一组对边的四角相连，短小敏感梁(3)和宽大支撑梁(4)共同支撑悬空质量块(5)，使其保持悬空状态，硼玻璃衬底(2)与悬空质量块(5)之间预留有工作间隙；
每个短小敏感梁(3)上均制作一个压敏电阻(6)，压敏电阻(6)采用U型方式制作而成，四个压敏电阻(6)通过芯片上的金属引线(7)连接组成半开环惠斯通全桥检测电路，半开环惠斯通全桥检测电路的输出端与芯片中的焊盘(8)相连，四根压敏电阻(6)按照短小敏感梁(3)上的应力分布规律布置，且位于硅晶体相同的晶向上；
所述的短小敏感梁(3)和宽大支撑梁(4)以及悬空质量块(5)与硅基底(1)之间存在着7-15μm的间隙。
2.根据权利要求1所述的复合八梁高频响加速度传感器芯片，其特征在于：所述的短小敏感梁(3)的长度和宽度均小于宽大支撑梁(4)，而短小敏感梁(3)和宽大支撑梁(4)的厚度相同。
3.根据权利要求1所述的复合八梁高频响加速度传感器芯片，其特征在于：所述的复合八梁高频响加速度传感器芯片是由MEMS制造技术制作的加速度转换芯片。
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