[发明专利]高精度100瓦14dB衰减片

说明书

技术领域

本发明涉及一种衰减片，特别涉及一种高精度100瓦14dB衰减片。

背景技术

目前集成了五个膜状电阻设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平,去耦,对相关设备起到了保护作用。

由于国外对同类产品的研发与制造比国内起步早，无论在产品系列还是产品特性上都处于优势地位。同时国内市场上现有的衰减片衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。

发明内容

针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种阻值满足54.1±3％Ω，在3G频段以内衰减精度为14±0.6dB,驻波要求在3G频段内满足1.20:1max，能够满足目前4G网络的应用要求且能够承受100瓦的功率的高精度100瓦14dB衰减片。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

其包括一5.7*8.9*1.0MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述膜状电阻连接形成TT型衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述焊盘沿所述氧化铝基板的中心线对称。

优选的，所述衰减电路沿所述氧化铝基板的中心线对称。

优选的，所述电路采用TT型衰减电路。

优选的，所述高温烧结膜状电阻上印刷有玻璃保护膜。

上述技术方案具有如下有益效果：该衰减片以8.9*5.7*1MM的氮化铝基板作为基准，在设计思路上优化了输出端的电路结构，改善了输出端的驻波，同时通过电阻值的精确修改，得到高精度的衰减值。同时得该衰减片在上述氮化铝基板的尺寸规格下可到达阻值54.1±3％Ω，在3G频段以内衰减精度为14±0.6dB,驻波要求在3G频段内满足1.20:1max，能够满足目前4G网络的应用要求且能够承受100瓦的功率的技术要求，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于4G的网络。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

附图说明

图1为本发明实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。

如图1所示，该高精度100瓦14dB衰减片包括一氮化铝基板1，氮化铝基板1的背面印刷有导体层，导体层由印刷银浆印刷而成。氮化铝基板1的正面印刷有电阻R1、R2、R3、R4、R5及银浆导线2，银浆导线2将电阻R1、R2、R3、R4、R5连接起来形成TT型结构的衰减电路，电阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有玻璃保护膜3，玻璃保护膜3用于保护电阻R1、R2、R3、R4、R5。在整个电路即银浆导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层黑色保护膜4，黑色保护膜4上再印刷有一层黑色保护膜5，这样可对整个电路进行包括，黑色保护膜5上还可印刷品牌和型号。

该衰减片输入端和接地的阻值为54.1±3％Ω，输出端和接地端的阻值为54.1±3％Ω。信号从输入端进入衰减片，从输出端经过R1、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。

该衰减片以8.9*5.7*1MM的氮化铝基板作为基准，在设计思路上优化了输出端的电路结构，改善了输出端的驻波，同时通过电阻值的精确修改，得到高精度的衰减值。同时得该衰减片在上述氮化铝基板的尺寸规格下可到达阻值54.1±3％Ω，在3G频段以内衰减精度为14±0.6dB,驻波要求在3G频段内满足1.20:1max，能够满足目前4G网络的应用要求且能够承受100瓦的功率的技术要求，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于4G的网络。

以上对本发明实施例所提供的一种高精度100瓦14dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。