[发明专利]一种单晶硅材料的力学测试方法在审
| 申请号： | 201410235591.0 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103994920A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 王连军;刘霞;顾士甲;江莞 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | G01N3/00 | 分类号： | G01N3/00;G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 材料 力学 测试 方法 | ||
1.一种单晶硅材料的力学测试方法，包括下述步骤：
1)对单晶硅片进行处理，包括表面处理、掺杂以及退火处理中的一种或几种；
2)将处理好的单晶硅片切割，利用MSP测试系统对其进行MSP强度和断裂载荷的力学性能测试。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅材料的力学测试方法，其特征在于：所述步骤(1)中的单晶硅片为不同晶向的单晶硅片，所述晶向为<111>或<100>。
3.根据权利要求1所述的一种单晶硅材料的力学测试方法，其特征在于：所述步骤(1)中的单晶硅片为具有不同电阻率的单晶硅片，所述电阻率为0.001～1000Ω·cm。
4.根据权利要求1所述的一种单晶硅材料的力学测试方法，其特征在于：所述步骤(1)中的单晶硅片为N型或P型单晶硅片。
5.根据权利要求1所述的一种单晶硅材料的力学测试方法，其特征在于：所述步骤(1)中单晶硅材料的表面处理为对单晶硅片材料进行表面刻蚀：采用强碱对硅片进行刻蚀10～100μm，各向同性刻蚀10～100μm。
6.根据权利要求1所述的一种单晶硅材料的力学测试方法，其特征在于：所述步骤(1)中单晶硅材料的掺杂处理为对单晶硅片材料进行重掺杂。
7.根据权利要求1所述的一种单晶硅材料的力学测试方法，其特征在于：所述步骤(1)中单晶硅材料的退火处理温度为500～700℃，时间为1～5h。
8.根据权利要求1所述的一种单晶硅材料的力学测试方法，其特征在于：所述步骤(2)中的MSP测试系统的承载模孔径为4.0mm，柱状压头直径为1.8mm，样品为方形样品，边长为10mm，厚度为0.3～0.8mm。
9.根据权利要求1所述的一种单晶硅材料的力学测试方法，其特征在于：所述步骤(2)中的性能测试所采用的加载速率为0.05mm/min，测试温度为室温。
10.根据权利要求1所述的一种单晶硅材料的力学测试方法，其特征在于：所述步骤(2)中切割后的样品厚度为0.3～1.0mm，边长为10mm。
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