[发明专利]金属非紧密排列球形纳米颗粒阵列的制备方法

权利要求书

1.一种金属非紧密排列球形纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于，包括步骤：

首先，采用自组织方法在基底上合成聚合物六方排列紧密接触的单层胶体球晶体阵列；

然后，在附着有所述单层胶体球晶体阵列的基底上，采用物理沉积方法沉积金属；

沉积金属后，在马弗炉中650至800摄氏度加热0.5至3小时，再升温至900至1050摄氏度加热0.2至4小时后，即可在基底获得金属非紧密排列球形纳米颗粒有序阵列。

2.根据权利要求1所述的金属非紧密排列球形纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于：

所述的聚合物为聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯；

所述金属包括以下任一种或多种：金、银、铜；

沉积金属后，在马弗炉中700摄氏度加热2小时，再升温至1000摄氏度加热2小时。

3.根据权利要求1所述的金属非紧密排列球形纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于，所述物理沉积方法包括磁控溅射沉积、热蒸发沉积或者电子束蒸发沉积。

4.根据权利要求1、2或3所述的金属非紧密排列球形纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于，所述单层胶体球晶体阵列中胶体球尺寸为200纳米至2000纳米。

5.根据权利要求4所述的金属非紧密排列球形纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于，所述物理沉积方法沉积的金属厚度为10纳米至400纳米。

6.根据权利要求4所述的金属非紧密排列球形纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于，所述的金属非紧密排列球形纳米颗粒阵列中金属纳米颗粒尺寸在40纳米到1500纳米。

7.根据权利要求4所述的金属非紧密排列球形纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于，所述的金属非紧密排列球形纳米颗粒阵列中阵列周期在200纳米至2000纳米。