[发明专利]一种半导体加工装置和加工半导体工件的工艺方法

权利要求书

1.一种半导体加工装置，包括工艺腔、密封盖、药液供给管、晶圆夹盘、洗液进给管和温度控制系统，其特征在于，所述半导体加工装置的工艺腔外部安装有加热源，所述药液供给管外包覆有管路加热装置，所述晶圆夹盘具有内置加热器，所述温度控制系统采集药液和晶圆表面的温度数据，所述温度控制系统单独控制加热源、内置加热器和管路加热装置，在湿法蚀刻工艺阶段保持该药液的温度和晶圆表面的温度的温差在1℃范围内，在干燥阶段提升晶圆温度至80℃以上。

2.根据权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，所述密封盖采用高透热率材料制成。

3.根据权利要求2所述的半导体加工装置，其特征在于，所述高透热率材料的热量透过率在80％以上。

4.根据权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，所述加热源的个数为一个。

5.根据权利要求4所述的半导体加工装置，其特征在于，所述加热源位于所述工艺腔外部的正上方。

6.根据权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，所述加热源的个数为两个及以上。

7.根据权利要求6所述的半导体加工装置，其特征在于，所述加热源在所述工艺腔外部规则排布。

8.一种加工半导体工件的工艺方法，其步骤包括：

提供一工艺腔，所述工艺腔配备有热能供应装置和温度控制系统，所述温度控制系统测量药液和晶圆表面的温度，并通过调控热能供应装置来实现对所述药液和晶圆表面温度的控制，所述热能供应装置包括针对药液的管路加热装置以及针对晶圆的加热源和内置加热器；

通入预液预湿润晶圆；

打开所述温度控制系统，采集药液与晶圆表面的温度数据；

所述温度控制系统根据采集到的温度数据分别加热药液和晶圆直至达到药液的活性温度，并在此温度下保持恒定；

所述温度控制系统实时调控药液和晶圆表面温度，使二者之间的温度差始终不超过1℃；

滴入药液，湿法蚀刻；

蚀刻工艺完成，停止对药液的供给；

通入后清洗液并清洗晶圆；

增大所述热能供应装置对晶圆的加热强度，提升晶圆表面温度进行干燥；

完成晶圆的干燥处理。

9.根据权利要求8所述的工艺方法，其特征在于，所述后清洗液为DIW，通过DIW冲洗，所述后清洗液把药液冲洗干净。

10.根据权利要求8所述的工艺方法，其特征在于，进一步包括：在干燥阶段，加快晶圆转速，并充入惰性气体。