[发明专利]通过原位蒸汽氧化形成嵌入式闪存的共源极氧化物

权利要求书

1.一种存储单元，包括：

共源极氧化物层，位于沿着半导体衬底的顶面设置的源极区域上方；

第一漏极区域，沿着所述半导体衬底的所述顶面设置在通过第一沟道区域与所述源极区域横向地间隔开的位置处；以及

共擦除栅极，设置在所述共源极氧化物层上，其中，所述共擦除栅极包括的基本平坦的底面与所述共源极氧化物层的基本平坦的顶面邻接，

其中，所述共源极氧化物层包括与所述基本平坦的顶面相对并且邻接所述源极区域的弯曲的底面。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述源极区域包括的掺杂浓度大于或等于1E19cm^-3。

3.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述共源极氧化物层的密度大于使用湿式炉氧化工艺所形成的氧化物的密度。

4.根据权利要求1所述的存储单元，还包括：

第二漏极区域，沿着所述半导体衬底的顶面在所述源极区域的与所述第一漏极区域相对侧上，设置在通过第二沟道区域与所述源极区域横向地间隔开的位置处；以及

第一浮置栅极，通过邻接所述共源极氧化物层的第一浮置栅极氧化物层与所述第一沟道区域间隔开；以及

第二浮置栅极，通过邻接所述共源极氧化物层的第二浮置栅极氧化物层与所述第二沟道区域间隔开。

5.根据权利要求4所述的存储单元，还包括：

第一控制栅极，设置在所述第一浮置栅极上方；以及

第二控制栅极，设置在所述第二浮置栅极上方。

6.根据权利要求5所述的存储单元，其中，所述第一控制栅极通过附加的介电材料和邻接所述第一控制栅极的第一间隔件结构与所述共擦除栅极间隔开，其中，所述第一间隔件结构的厚度大约等于介于所述第一控制栅极和所述共擦除栅极之间的所述附加的介电材料的厚度。

7.根据权利要求1所述的存储单元，还包括：

第一选择栅极，沿着第一浮置栅极的与所述共擦除栅极的相对侧进行设置，其中，所述第一选择栅极与第一字线相连接；以及

第二选择栅极，沿着第二浮置栅极的与所述共擦除栅极的相对侧进行设置，其中，所述第二选择栅极与第二字线相连接。

8.一种嵌入式闪存单元，包括：

半导体衬底，包括通过第一沟道区域与第一漏极区域间隔开并且通过第二沟道区域与第二漏极区域间隔开的共源极区域；

共源极氧化物层，具有顶面和与所述共源极区域邻接的底面；

第一浮置栅极，通过第一浮置栅极氧化物层与所述第一沟道区域间隔开，所述第一浮置栅极氧化物层在所述半导体衬底上面位于与所述共源极氧化物层邻接的第一位置处；

第二浮置栅极，通过第二浮置栅极氧化物层与所述第二沟道区域间隔开，所述第二浮置栅极氧化物层在所述半导体衬底上面位于与所述共源极氧化物层邻接的第二位置处；以及

共擦除栅极，设置在所述共源极氧化物层上且具有与所述共源极氧化物层的基本平坦的顶面邻接的基本平坦的底面，

其中，所述共源极氧化物层包括与所述基本平坦的顶面相对的并且与所述共源极区域邻接的弯曲的底面。

9.根据权利要求8所述的嵌入式闪存单元，其中，所述共源极氧化物层在所述共擦除栅极下方位于大约10nm和大约40nm之间的范围内的高度处。

10.一种形成存储单元的方法，包括：

在半导体衬底内形成源极区域和漏极区域；

实施原位蒸汽生成(ISSG)工艺以在所述源极区域上方形成共源极氧化物层；以及

在所述共源极氧化物层上形成栅极结构，其中，所述栅极结构具有的基本平坦的底面与所述共源极氧化物层的基本平坦的顶面邻接，

所述共源极氧化物层包括与所述顶面相对的弯曲的底面。