[发明专利]一种多层结构有机阻变存储器的3D打印制备方法

权利要求书

1.一种多层结构有机阻变存储器的3D打印制备方法，其特征在于，所述的多层结构有机阻变存储器的结构是在衬底上形成的，包括：下电极、有机功能层、上电极、两层有机功能层间的中间电极层、与各层电极并行同厚度的介质层的多层结构有机阻变存储器，按如下操作步骤进行：

1）建模，利用电脑建模软件设计多层结构有机阻变存储器的模型，将该模型的软件指令转化为3D打印的机械设备指令，从而控制打印头的运动路径数据，并控制紫外光的照射时间、熔融腔的温度及激光的照射时间；

2）通过3D打印技术在衬底上打印下电极及中间介质层，将用于制备电极及中间介质层的材料加入到相应的基材熔融腔或液槽中，使其从各自的打印头中打出，经固化装置迅速固化；通过软件控制打印头的移动，打印完成下电极层；

3）通过3D打印技术打印有机功能层，将用于制备有机功能层的材料加入相应的基材熔融腔或液槽中，使其从各自的打印头中打出，经固化装置迅速固化；通过软件控制打印头的移动，打印完成有机功能层；

4）以此方式通过3D打印技术逐层打印多层结构有机阻变存储器的各层，最后完成上电极的打印。

2.根据权利要求1所述的多层结构有机阻变存储器的3D打印制备方法，其特征在于，所述打印各层膜结构的步骤是在形成一层完整的膜结构后再打印上一层膜结构，或是按步进量各膜层前后同时打印。

3.根据权利要求1所述的多层结构有机阻变存储器的3D打印制备方法，其特征在于，所述的多层结构是上电极与下电极之间的有机功能层和中间电极层的N次叠加实现多层结构。

4.根据权利要求1所述的多层结构有机阻变存储器的3D打印制备方法，其特征在于，所述的多层结构中的上电极、下电极以及中间电极层呈并行条状，且并行条状电极之间填充同厚度的介质层，上下相邻的条状电极呈十字交叉状态。

5.根据权利要求1所述的多层结构有机阻变存储器的3D打印制备方法，其特征在于，所述的衬底为玻璃、石英、陶瓷或柔性基底。

6.根据权利要求1所述的多层结构有机阻变存储器的3D打印制备方法，其特征在于，所述的上电极、下电极以及中间电极层的厚度为50~200nm，采用材料为铜、钨、镍、锌、铝中的一种金属电极或者两种及两种以上的复合金属电极或者氧化铟掺锡、氧化锌掺铝。

7.根据权利要求1所述的多层结构有机阻变存储器的3D打印制备方法，其特征在于，所述的有机功能层的厚度为20~200nm，采用材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯咔唑。

8.根据权利要求1所述的多层结构有机阻变存储器的3D打印制备方法，其特征在于，所述的与各层电极并行同厚度的介质层材料为环氧树脂、光敏树脂。