[发明专利]一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法

权利要求书

1.一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

步骤S1：选取一平板基底，并对平板基底进行清洗；

步骤S2：在平板基底表面沉积一层过渡层； 所述过渡层为透明介质层，由氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅、氧化钽、氧化铪、氧化锆中一种构成或两种及以上复合而成；

步骤S3：在过渡层表面涂覆一层厚膜银浆浆料，并高温焙烧形成厚膜银浆导电层；

步骤S4：在厚膜银浆导电层表面沉积一层保护层；

步骤S5：在保护层表面涂覆光刻胶、经曝光、显影和固膜后形成图形化光刻胶；

步骤S6：刻蚀无光刻胶覆盖的保护层；

步骤S7：然后刻蚀无保护层覆盖的厚膜银浆导电层，得到图形化厚膜银浆导电层；

步骤S8：去除光刻胶，然后刻蚀图形化厚膜银浆导电层表面的保护层；

步骤S9：对图形化厚膜银浆导电层进行表面处理，形成最终的图形化厚膜银浆导电层。

2.根据权利要求1所述的一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法，其特征在于，所述平板基底由绝缘且表面平整材料构成，包括浮法玻璃、有机聚合物、陶瓷、PD200玻璃中一种构成的单一基板，或其中两种及以上组合构成的复合基板。

3.根据权利要求1所述的一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法，其特征在于，所述透明介质层的厚度为100纳米~2微米，所述透明介质层的制作方法包括物理气相沉积和化学气相沉积。

4.根据权利要求1所述的一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法，其特征在于，所述厚膜银浆浆料包括印刷性厚膜银浆浆料和感光性厚膜银浆浆料。

5.根据权利要求1所述的一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法，其特征在于，高温焙烧形成的厚膜银浆导电层的厚度为1微米~15微米。

6.根据权利要求1所述的一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法，其特征在于，所述保护层为金属膜层或者化合物层；所述金属膜层可由铬、铝、钛、钼、镍、铜、锌、钽中一种构成的单一膜层或两种及以上组合构成的复合膜层；所述化合物层可由氧化铟、氧化锌、氧化镍、氧化钒、氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅、锡掺杂氧化铟、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌中一种构成的单层结构或两种及以上构成的叠层结构。

7.根据权利要求6所述的一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法，其特征在于，所述保护层的制备方法包括物理气相沉积和化学气相沉积。

8.根据权利要求6所述的一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度为10纳米~2微米。

9.根据权利要求1所述的一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法，其特征在于，所述图形化厚膜银浆导电层表面处理的方法包括酸处理、碱处理、高温处理和喷砂处理。