[发明专利]一种功率放大电路有效
申请号: | 201410237806.2 | 申请日: | 2014-06-01 |
公开(公告)号: | CN105207632B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 李凤朝 | 申请(专利权)人: | 李凤朝 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 441131 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 放大 电路 | ||
1.一种功率放大器,其特征在于,电路构成为:电流源1连接二极管D1的正向输入端和NPN三极管Q1的基极;二极管D1的正向输入端和NPN三极管Q1的基极相连,电流源3连接二极管D2的反向输入端和三极管Q3的基极,二极管D2的反向输入端和三极管Q3的基极相连,电流源2连接NPN三极管Q1的集电极和NPN三极管Q2的基极,NPN三极管Q1的集电极和NPN三极管Q2的基极相连,电流源4连接PNP三极管Q3的集电极和PNP三极管Q4的基极,PNP三极管Q3的集电极和PNP三极管Q4的基极相连,NPN三极管Q1的发射极和PNP三极管Q3的发射极相连,构成输入信号的参考信号,二极管D1的反向输入端和二极管D2的正向输入端,以及NPN三极管Q2的发射极和PNP三极管Q4的发射极相连,构成输入信号,NPN三极管Q2的集电极和PNP三极管Q4的集电极分别连接PNP功率三极管Q5和NPN功率三极管Q6的基极,PNP功率三极管Q5的发射极连接正电压VCC1,NPN功率三极管Q6的发射极连接负电压-VCC2,PNP功率三极管Q5和NPN功率三极管Q6的集电极相连输出到负载Rload。
2.如权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,电流源1换成电阻R2,电流源2换成电阻R3,电流源3换成电阻R4,电流源4换成电阻R5,电阻R2,电阻R3与正电源VCC3相连,电阻R4,电阻R5与负电源-VCC4相连。
3.如权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,电流源1连接NMOS管Q1的栅极和漏极,以及NMOS管Q2的栅极,NMOS管Q1的栅极和漏极,和NMOS管Q2的栅极相连,电流源2连接NMOS管Q2的漏极和NMOS管Q3的栅极,NMOS管Q2的漏极和NMOS管Q3的栅极相连,电流源3连接PMOS管Q4的栅极和漏极,以及PMOS管Q5的栅极,PMOS管Q4的栅极和漏极,和PMOS管Q5的栅极相连,电流源4连接PMOS管Q5的漏极和PMOS管Q6的栅极,PMOS管Q5的漏极和PMOS管Q6的栅极相连,NMOS管Q1的源极和PMOS管Q4的源极,以及NMOS管Q3的源极和PMOS管Q6的源极相连,构成输入信号,NMOS管Q2的源极和PMOS管Q5的源极相连,构成输入信号的参考信号,NMOS管Q3的漏极和PMOS管Q6的漏极分别连接PNP功率三极管Q7和NPN功率三极管Q8的基极,PNP功率三极管Q7的发射极连接正电压VCC1,NPN功率三极管Q8的发射极连接负电压-VCC2,PNP功率三极管Q7和NPN功率三极管Q8的集电极相连输出到负载Rload。
4.如权利要求3所述的功率放大器,其特征在于,电流源1换成电阻R2,电流源2换成电阻R3,电流源3换成电阻R4,电流源4换成电阻R5,电阻R2,电阻R3与正电源VCC3相连,电阻R4,电阻R5与负电源-VCC4相连。
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