[发明专利]一种ZnSe‑GaP固溶体纳米材料及其制备方法有效
申请号: | 201410238333.8 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN105314608B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 姜辛;杨文进;杨兵;刘宝丹 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04;C01B25/08;B82Y30/00 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人: | 许宗富,周秀梅 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 znse gap 固溶体 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种ZnSe-GaP固溶体纳米材料,其特征在于:所述纳米材料为ZnSe-GaP固溶体纳米线,平均直径为50-500纳米,纳米线长度为5微米-5毫米。
2.根据权利要求1所述的ZnSe-GaP固溶体纳米材料,其特征在于:所述纳米材料中,ZnSe的摩尔百分含量为5-85%。
3.根据权利要求1所述的ZnSe-GaP固溶体纳米材料,其特征在于:所述纳米线材料为单晶结构。
4.根据权利要求1所述的ZnSe-GaP固溶体纳米材料的制备方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:
(1)称取所需量的硒化锌粉末和磷化镓粉末,分别置于两个不同的瓷舟中;
(2)称取所需量的硒粉和锌粉,置于步骤(1)中装有硒化锌粉末的瓷舟中,所述硒粉与硒化锌粉末的摩尔比例为(1-5):10,锌粉与硒化锌粉末的摩尔比例为(1-5):10;
(3)将装有药品的两个瓷舟分别放在两个小石英管中,然后将两个小石英管平行放进一个大石英管中(三个管口同向),再将大石英管置于三温区管式炉中,调整瓷舟位置使其放置在三温区管式炉中的中温区,在中温区瓷舟的下游和下温区分别放置衬底;
(4)在大石英管中通入氩气清洗石英管,气流速率为50-250sccm,通入时间为10-60min;
(5)将通入氩气的气流速率下调至50-150sccm,在该条件下的氩气气氛下,将三温区管式炉上温区、中温区和下温区分别同时加热到1000-1200℃、1000-1200℃和600-900℃,然后保温30-90min,即获得所述ZnSe-GaP固溶体纳米材料。
5.根据权利要求4所述的ZnSe-GaP固溶体纳米材料的制备方法,其特征在于:所述瓷舟为刚玉瓷舟。
6.根据权利要求4所述的ZnSe-GaP固溶体纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,硒粉与锌粉的摩尔比例为1:1。
7.根据权利要求4所述的ZnSe-GaP固溶体纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,所述小石英管的直径为Φ18mm,所述大石英管的直径为Φ45mm。
8.根据权利要求4所述的一种ZnSe-GaP固溶体纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,装有磷化镓粉末的瓷舟置于管式炉中温区的加热中心,装有硒化锌粉末、硒粉和锌粉的瓷舟置于磷化镓粉末的上游,与磷化镓的距离为5-15cm。
9.根据权利要求4所述的ZnSe-GaP固溶体纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,所述衬底采用(111)硅片或石墨材料,其中硅片表面喷有Au层,Au层厚度2-20nm。
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