[发明专利]一种JFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种JFET器件，其元胞结构包括P型衬底(6)和设置在P型衬底(6)上层的P型外延层(5)；所述P型外延层(5)上层设置有n型体沟道区(4)，P型外延层(5)上层的两侧分别设置有第一P型隔离区(7)和第二P型隔离区(8)，其中n型体沟道区(4)位于第一P型隔离区(7)和第二P型隔离区(8)之间；所述n型体沟道区(4)上层设置有相互独立的P+栅极区(1)、N+漏极区(2)、N+源极区(3)，其中P+栅极区(1)位于N+漏极区(2)和N+源极区(3)之间；所述P+栅极区(1)的上表面设置有栅极金属(11)，所述N+漏极区(2)的上表面设置有漏极金属(10)，所述N+源极区(3)的上表面设置有源极金属(12)，所述第一P型隔离区(7)和和第二P型隔离区(8)的上表面均设置有衬底接触金属(15)；衬底接触金属(15)与漏极金属(10)之间的P型外延层(5)的上表面、衬底接触金属(15)与源极金属(12)之间的P型外延层(5)的上表面、漏极金属(10)与栅极金属(11)之间的n型体沟道区(4)的上表面、栅极金属(11)与源极金属(12)之间的n型体沟道区(4)的上表面均设置有介质层(9)，其特征在于，所述n型体沟道区(4)中设置有电流浅槽辅助层(13)和电压浅槽辅助层(14)，所述电流浅槽辅助层(13)和电压浅槽辅助层(14)分别位于P+栅极区(1)两侧，其中电流浅槽辅助层(13)位于靠近N+源极区(3)的一侧，电压浅槽辅助层(14)位于靠近N+漏极区(2)的一侧。

2.根据权利要求1所述的一种JFET器件，其特征在于，所述电流浅槽辅助层(13)和电压浅槽辅助层(14)均为硅浅槽，浅槽内部均填充有绝缘介质，电流浅槽辅助层(13)和电压浅槽辅助层(14)与P+栅极区(1)相接。

3.根据权利要求1所述的一种JFET器件，其特征在于，所述电流浅槽辅助层(13)和电压浅槽辅助层(14)的槽深相同。

4.一种JFET器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：采用单晶硅片制备P型衬底(6)；

第二步：在P型衬底(6)表面生长P型外延层(5)；

第三步：采用光刻和离子注入工艺，在P型外延层(5)上层的两侧形成第一P型隔离区(7)和第二P型隔离区(8)；

第四步：采用光刻和离子注入工艺，在P型外延层(5)上层形成n型体沟道区(4)，n型体沟道区(4)位于第一P型隔离区(7)和第二P型隔离区(8)之间；

第五步：采用光刻和离子注入工艺，在n型体沟道区(4)上层进行源区刻蚀；

第六步：采用光刻和离子注入工艺，在n型体沟道区(4)上层形成P+栅极区(1)；

第七步：采用光刻和离子注入工艺，在n型体沟道区(4)上层形成N+漏极区(2)和N+源极区(3)，其中P+栅极区(1)位于N+漏极区(2)和N+源极区(3)之间；

第八步：采用光刻和等离子体干法刻蚀工艺，在P+栅极区(1)两侧刻蚀硅层形成浅槽，并在浅槽中填充二氧化硅形成电流浅槽辅助层(13)和电压浅槽辅助层(14)，其中电流浅槽辅助层(13)位于靠近N+源极区(3)的一侧，电压浅槽辅助层(14)位于靠近N+漏极区(2)的一侧；

第九步：金属淀积，在P+栅极区(1)的上表面淀积栅极金属(11)，在N+漏极区(2)的上表面淀积漏极金属(10)，在N+源极区(3)的上表面淀积源极金属(12)，在第一P型隔离区(7)和第二P型隔离区(8)的上表面淀积衬底接触金属(15)。