[发明专利]一种像素电路及其驱动方法、显示装置在审
申请号: | 201410238690.4 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN104021757A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 马占洁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 电路 及其 驱动 方法 显示装置 | ||
1.一种像素电路,其特征在于,包括:
第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、存储电容以及发光器件;
所述第一晶体管的栅极连接所述发光器件的控制线,第一极连接第一电压,第二极与所述第三晶体管的第一极相连接;
所述第二晶体管的栅极连接所述发光器件的控制线,第一极连接所述第三晶体管的第二极,第二极与所述发光器件的阳极相连接;
所述第三晶体管的栅极连接所述存储电容的一端;
所述第四晶体管的栅极连接栅线,第一极连接所述第三晶体管的第二极,第二极与所述第三晶体管的栅极相连接;
所述第五晶体管的栅极连接所述栅线,第一极连接所述第七晶体管的第二极,第二极与所述数据线相连接;
所述第六晶体管的栅极连接所述栅线,第一极连接初始电压,第二极与所述第三晶体管的第一极相连接;
所述第七晶体管的栅极连接所述发光器件的控制线,第一极连接所述第一电压;
所述存储电容的另一端连接所述第七晶体管的第二极;
所述发光器件的阴极连接第二电压。
2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管均为N型晶体管;或,
所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第七晶体管均为N型晶体管;所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管为P型晶体管;或,
所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管均为P型晶体管;或,
所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第七晶体管均为P型晶体管;所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管为N型晶体管。
3.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管的第一极均为源级,第二极均为漏级。
4.根据权利要求1或3所述的像素电路,其特征在于,所述晶体管包括耗尽型薄膜晶体管TFT或增强型TFT。
5.根据权利要求1或3所述的像素电路,其特征在于,所述发光器件为有机发光二极管。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至5中任一所述像素电路。
7.一种像素电路驱动方法,其特征在于,包括:
导通第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管,第三晶体管形成二极管连接特性,初始电压及所述第三晶体管的阈值电压存入存储电容中;数据线输入低电平,数据电压存入所述存储电容中;
关闭所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管,导通第一晶体管、第二晶体管和第七晶体管;通过所述第一晶体管、所述第三晶体管及所述第二晶体管的电流驱动发光器件发光。
8.根据权利要求7所述的像素电路驱动方法,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管均为N型晶体管;或,
第一晶体管、所述第二晶体管和第七晶体管均为N型晶体管;所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和第六晶体管为P型晶体管;或,
所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管均为P型晶体管;或,
第一晶体管、所述第二晶体管和第七晶体管均为P型晶体管;所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和第六晶体管为N型晶体管。
9.根据权利要求7或8所述的像素电路驱动方法,其特征在于,所述晶体管包括耗尽型TFT或增强型TFT。
10.根据权利要求9所述的像素电路驱动方法,其特征在于,当所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管以及所述第七晶体管均为P型增强型晶体管时,控制信号的时序包括:
写入阶段:所述数据线输入的数据电压和栅线输入的电压为低电平,所述发光器件的控制线输入高电平;
发光阶段:所述数据线输入的数据电压和所述栅线输入的电压为高电平,所述发光器件的控制线输入低电平。
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