[发明专利]一种具有抗闩锁能力的可关断SCR器件有效
| 申请号： | 201410238781.8 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103972233B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 乔明;马金荣;齐钊;黄军军;曲黎明;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 抗闩锁 能力 可关断 scr 器件 | ||
1.一种具有抗闩锁能力的可关断SCR器件，其特征在于，包括P型衬底(201)、分别设置在P型衬底(201)上层两侧的第一N型阱区(202)和第二N型阱区(203)；其中，第一N型阱区(202)中设置有相互独立的第一P型重掺杂区(205)和第一N型重掺杂区(204)，其中第一P型重掺杂区(205)靠近器件栅极；第二N型阱区(203)上层远离第一P型重掺杂区(205)的一侧设置有第二P型重掺杂区(206)；第一N型阱区(202)和第二N型阱区(203)之间的P型衬底(201)上表面设置有栅氧化层(207)，栅氧化层(207)上表面设置有多晶硅栅(208)；第一N型重掺杂区(204)和第一P型重掺杂区(205)上表面接阴极；第二P型重掺杂区(206)上表面接阳极。
2.根据权利要求1所述的一种具有抗闩锁能力的可关断SCR器件，其特征在于，所述第二N型阱区(203)上层还设置有第一N型重掺杂区(210)，第二P型重掺杂区(206)位于第一N型重掺杂区(210)与第一P型重掺杂区(205)之间。
3.根据权利要求1所述的一种具有抗闩锁能力的可关断SCR器件，其特征在于，所述P型衬底(201)中还设置有氧化层(211)，所述氧化层(211)位于P型衬底(201)与第一N型阱区(202)和第二N型阱区(203)之间。
4.根据权利要求1所述的一种具有抗闩锁能力的可关断SCR器件，其特征在于，还包括电阻(209)，第一N型重掺杂区(204)和第一P型重掺杂区(205)上表面通过电阻(209)后接阴极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
