[发明专利]在积层电路板上直接磊晶生长LED的方法及应用

权利要求书

1.一种在积层电路板上直接磊晶生长发光二极管LED的方法，其特征在于，所述积层电路板的上表面具有在积层电路板的金属焊盘电极上淀积的晶格适配层，所述方法包括：

对所述积层电路板的上表面进行研磨和清洗；

对所述积层电路板的上表面进行离子注入，以使所述晶格适配层具有导电性能；

对所述积层电路板的上表面进行研磨，用以去除离子注入造成的损伤层；

对所述积层电路板的上表面进行感应耦合等离子体ICP刻蚀，粗化所述积层电路板的上表面，用以形成凸起的球状岛，增加晶格生长的扣合力；

金属有机化学气相淀积MOCVD生长N型GaN层并进行图形化刻蚀；所述图形化刻蚀后保留的N型GaN层位于第一晶格适配层之上；

对所述积层电路板的上表面进行ICP刻蚀，粗化所述积层电路板的上表面，用以形成凸起的球状岛，增加晶格生长的扣合力；

MOCVD生长P型GaN层；

台面MESA光刻和刻蚀，在所述P型GaN层上形成隔离槽，以使所述N型GaN层和P型GaN层构成多个独立PN结结构；其中，所述刻蚀后保留的P型GaN位于N型GaN层和第二晶格适配层之上；

其中，所述积层电路板为无机积层电路板。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

图形化淀积SiO₂，用以填充所述隔离槽。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述积层电路板的下表面进行研磨和清洗；

对所述积层电路板的下表面进行SiO₂刻蚀，露出用于与外部芯片或电路进行电连接的接触电极。

4.一种应用上述权利要求1所述的在积层电路板上直接磊晶生长发光二极管LED的方法制备的LED磊晶电路板。

5.一种包括上述权利要求4所述的LED磊晶电路板的LED显示模组。

6.根据权利要求5所述的LED显示模组，其特征在于，所述LED显示模组还包括：晶片支架、接口装置、专用集成电路芯片、散热层和散热盖板；

所述LED磊晶电路板顶部为出光面，顶部向上设置于所述晶片支架内，所述专用集成电路芯片倒装设置于封装基板的底面，通过所述散热层和所述散热盖板固定于所述晶片支架内；所述接口装置设置于所述封装基板的底面与所述散热盖板之间的晶片支架内，并通过所述散热盖板上具有的开口向外露出；

所述LED磊晶电路板与所述专用集成电路芯片电连接；所述封装基板通过所述接口装置与外部电路进行电连接。

7.根据权利要求6所述的LED显示单元模组，其特征在于，所述LED显示单元模组还包括：

陶瓷釉层，设置于所述LED磊晶电路板的顶部出光面上，用于加强LED磊晶电路板上LED的散热性能。

8.根据权利要求7所述的LED显示单元模组，其特征在于，所述LED显示单元模组还包括：

保护膜，具有光学栅格结构，覆盖于所述陶瓷釉层之上。

9.根据权利要求6所述的LED显示单元模组，其特征在于，所述LED显示单元模组还包括：

固定件，所述散热盖板通过所述固定件紧固于所述晶片支架上。

10.根据权利要求6所述的LED显示单元模组，其特征在于，所述接口装置为兼容电源和数据通信的USB接口，通过胶结与所述封装基板连接。