[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201410239666.2 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN104216185B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 边宇中;金泰嵘;李孝锺;崔东仁 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1339;G02F1/1335;G02F1/1337 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示装置 第二基板 第一基板 突起图案 数据线 像素区 栅线 薄膜晶体管 图案化间隔 蓝滤色器 滤色器层 像素电极 取向层 互相交叉 边界处 滤色器 液晶层 制造 | ||
本发明公开了一种液晶显示装置及其制造方法。一种液晶显示装置包括:第一基板和第二基板;在第一基板上的栅线和数据线,栅线与数据线互相交叉以限定像素区;连接至栅线和数据线的薄膜晶体管;在薄膜晶体管上的滤色器层,滤色器层包括各自对应像素区的红、绿和蓝滤色器;在像素区的边界处的突起图案,所述突起图案包括红、绿和蓝滤色器中的至少两个;在滤色器上的像素电极;在像素电极上的第一取向层;在第二基板上的第一图案化间隔件,第一图案化间隔件接触在突起图案之上的第一取向层;和在第一基板与第二基板之间的液晶层。
对相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2013年5月31日在韩国申请的韩国专利申请第10-2013-0062593号的权益,通过引用将该申请作为整体包括在本申请中。
技术领域
本公开内容涉及一种液晶显示装置。本公开内容还涉及一种防止了邻近图案化间隔件的光泄漏且通过省去黑矩阵增大开口率的液晶显示装置和制造该液晶显示装置的方法。
背景技术
最近,因为液晶显示(LCD)装置因低功耗和良好的便携性而具有附加的高价值,所以LCD装置作为下一代显示装置已经成为大家关注的焦点。
通常,LCD装置可基于液晶(LC)分子的光学各向异性和极化而驱动。由于LC分子薄且长,因此LC分子可沿特定方向排列,且LC分子排列的方向可通过人为地施加电场至LC分子来控制。结果,当使用电场来改变LC分子的排列时,由于沿LC分子排列方向的LC分子的光学各向异性,光可发生折射从而能够显示图像。
最近几年,其中薄膜晶体管(TFT)和像素电极排列成矩阵形状的有源矩阵LCD(AM-LCD)装置已经吸引了很多注意,因为该装置具有高分辨率且非常能够表现运动的图像。
图1是显示根据现有技术的液晶显示装置的截面图,且图2是显示图1的部分A的放大图。
在图1中,液晶显示(LCD)装置1包括阵列基板10、滤色器基板20和液晶层30,阵列基板10和滤色器基板20互相面对且彼此间隔开,液晶层30插入阵列基板10与滤色器基板20之间。
多条栅线(未图示)和多条数据线16形成在阵列基板10的内表面上。多条栅线与多条数据线16交叉以限定多个像素区P。栅绝缘层14形成在多条栅线与多条数据线16之间,且薄膜晶体管(TFT)(未图示)连接至栅线和数据线16。钝化层17形成在TFT上且像素电极18形成在钝化层17上。像素电极18连接至TFT的漏极。
黑矩阵24形成在滤色器基板20的内表面上。黑矩阵对应多条栅线、多条数据线和TFT以具有围绕每一个像素区P的格子形状。包括红、绿和蓝滤色器26a的滤色器层26形成在黑矩阵24上且公共电极28形成在滤色层26上。顺序地且重复地设置红、绿和蓝滤色器26a以对应多个像素区P。此外,呈柱状的图案化间隔件40形成在公共电极28上以对应每一个像素区P的边界。
用于防止液晶层30的泄漏的密封图案(未图示)形成在围绕显示区域AA的非显示区域(未图示)内。第一取向层(未图示)形成在液晶层30与阵列基板10之间且第二取向层(未图示)形成在液晶层30与滤色器基板20之间,以向液晶层30的液晶分子提供初始取向状态。此外,第一极化板(未图示)形成在阵列基板10的外表面上且第二极化板(未图示)形成在滤色器基板20的外表面上。背光单元(未图示)设置在阵列基板10之下以提供光。
当各TFT由通过多条栅线的栅信号顺序地导通时,通过多条数据线16的数据信号顺序地施加至像素区P的像素电极18。结果,根据在像素电极18与公共电极28之间产生的垂直电场而重新排列液晶层30的液晶分子,且改变液晶层30的透光率以显示图像。
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