[发明专利]一种背接触太阳能电池组件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于太阳能电池领域，具体涉及一种背接触太阳能电池组件及其制备方法。

背景技术

太阳能电池是一种将光能转化为电能的半导体器件，较低的生产成本和较高的能量转化效率一直是太阳能电池工业追求的目标。对于目前常规太阳能电池，其发射极接触电极和基极接触电极分别位于电池片的正反两面。电池的正面为受光面，正面金属发射极接触电极的覆盖必将导致一部分入射的太阳光被金属电极所反射，造成一部分光学损失。普通晶硅太阳能电池的正面金属电极的覆盖面积在7％左右，减少金属电极的正面覆盖可以直接提高的电池的能量转化效率。

背接触太阳能电池是一种将发射极和基极接触电极均放置在电池背面(非受光面)的电池，该电池的受光面无任何金属电极遮挡，从而有效增加了电池片的短路电流，使电池片的能量转化效率得到提高。

以往背接触太阳能电池组件所用电池主栅电极大都是两根，一根正电极主栅，一根负电极主栅，分别分布在电池两端边缘处，这样的主栅分布易于组件制作，但要求其用来收集光电流的金属细栅线的线电阻很低，这样就使得背接触电池的电极金属耗量很高，生产成本增加。

发明内容

本发明的第一个目的在于提供一种背接触太阳能电池组件，该组件所采用的背接触太阳能电池背面设置有相同数量的正电极主栅和负电极主栅，所述电池片上的正电极主栅与该电池片的负电极主栅满足旋转对称性，即将所述电池片以电池片中心处垂直于电池片所在平面的直线为旋转轴旋转180°，所述电池片上的正电极主栅与旋转后的电池片上的负电极主栅位于同一焊接区域。

本发明的目的还在于提供一种背接触太阳能电池组件的制备方法，该方法工艺简洁，能与目前现有的工艺相兼顾，由于所用背接触电池采用多主栅结构，可以有效降低该电池对细栅线线电阻的要求，从而降低栅线金属耗量，成本低。

本发明的第一个目的是通过以下技术方案来实现的：一种背接触太阳能电池组件，包括串联电池片，所述的串联电池片主要由电池片A和电池片B按照电池片A、电池片B、电池片A、电池片B……相间隔的方式依次排列的多个电池片，相邻两电池片A和电池片B采用焊带相串联。

本发明所述的电池片A背面上设置有相同数量的正电极主栅和负电极主栅，当将所述电池片A以电池片A中心处垂直于电池片A所在平面的直线为旋转轴旋转180°时，所述电池片A上的正电极主栅与旋转后的电池片A上的负电极主栅位于同一焊接区域。

本发明所述的同一焊接区域是指处于同一焊带的焊接区域，所述焊带的宽度优选为1.5～10mm，最小厚度不低于0.1mm，最大长度不超过两个电池片A的边长。

本发明所述正电极主栅和负电极主栅的数量相等，且优选大于等于1。

本发明所述的电池片B通过将电池片A以电池片A中心处垂直于电池片A所在平面的直线为旋转轴旋转180°获得，其中所述电池片B上的负电极主栅与电池片A上的正电极主栅位于同一焊接区域。

作为本发明的一种优选的具体实施方式，本发明中电池片A的正电极主栅与相邻电池片B的负电极主栅满足旋转对称性，旋转对称轴为电池片中心处垂直于电池片所在平面的直线，该对称性要求正电极主栅的列数M与负电极主栅的列数N完全一致，即要求M＝N，且M或N≥1，具有该旋转对称性的电池可以保证A电池片的正电极主栅与其旋转了180°所得到的B电池的负电极主栅在同一焊接区域。

本发明所述的背接触太阳能电池片A包括硅基体，相互交替排列在所述硅基体背面上的p+掺杂区域和n+掺杂区域，在所述p+掺杂区域和所述n+掺杂区域之间设有用于使所述p+掺杂区域和所述n+掺杂区域绝缘的带隙，所述p+掺杂区域上设有正电极接触细栅，所述n+掺杂区域上设有负电极接触细栅，所述硅基体的背面上还设有正电极主栅和负电极主栅，所述正电极主栅与所述正电极接触细栅相连接但不与所述负电极接触细栅和所述n+掺杂区域相接触，所述负电极主栅与所述负电极接触细栅相连接但不与所述正电极接触细栅和所述p+掺杂区域相接触。