[发明专利]一种内嵌式触摸屏及显示装置有效

专利信息
申请号: 201410239921.3 申请日: 2014-05-30
公开(公告)号: CN104020892B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 赵卫杰;董学;王海生;杨盛际;刘英明 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G02F1/1333
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 内嵌式 触摸屏 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及触控技术领域,尤其涉及一种内嵌式触摸屏及显示装置。

背景技术

随着显示技术的飞速发展,触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前,触摸屏按照组成结构可以分为:外挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中,外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏(Liquid Crystal Display,LCD)分开生产,然后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏,外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。而内嵌式触摸屏将触摸屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部,可以减薄模组整体的厚度,又可以大大降低触摸屏的制作成本,受到各大面板厂家青睐。

目前,现有的内嵌(In cell)式触摸屏是利用互电容或自电容的原理实现检测手指触摸位置。其中,利用自电容的原理可以在触摸屏中设置多个同层设置且相互绝缘的自电容电极,当人体未触碰屏幕时,各自电容电极所承受的电容为一固定值,当人体触碰屏幕时,对应的自电容电极所承受的电容为固定值叠加人体电容,触控侦测芯片在触控时间段通过检测各自电容电极的电容值变化可以判断出触控位置。由于人体电容可以作用于全部自电容,相对于人体电容仅能作用于互电容中的投射电容,由人体碰触屏幕所引起的触控变化量会大于利用互电容原理制作出的触摸屏,因此,相对于互电容的触摸屏能有效提高触控的信噪比,从而提高触控感应的准确性。

在上述内嵌式触摸屏中,为了将自电容电极与触控侦测芯片连接,一般会设置与自电容电极对应连接的导线。具体地,可以将导线与自电容电极的图形设置在同一膜层,也可以将导线与自电容电极的图形异层设置。其中,将导线和自电容电极同层设置虽然可以避免增加新的构图工艺,但是,将自电容电极和导线同层设置会形成触控盲区,在触控盲区内连接多个自电容电极的导线均经过该触控盲区,因此,在这个触控盲区内的信号相对比较紊乱,也就是在该区域内的触控性能无法保证。基于上述考虑,在具体实施时,一般将导线和自电容电极异层设置。

而在内嵌式触摸屏中将导线和自电容电极异层设置,需要在现有的显示面板内部增加新的两个膜层,导致在制作面板时需要增加新的工艺,使生产成本增加,不利于提高生产效率。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供了一种内嵌式触摸屏及显示装置,用以降低内嵌式触摸屏的生产成本、提高生产效率。

因此,本发明实施例提供的一种内嵌式触摸屏,包括具有顶栅型薄膜晶体管的阵列基板,还包括:

设置于所述阵列基板的所述顶栅型薄膜晶体管所在膜层之上的多个同层设置且相互独立的自电容电极;

在触控时间段通过检测各所述自电容电极的电容值变化以判断触控位置的触控侦测芯片;以及,

设置于所述阵列基板的所述顶栅型薄膜晶体管所在膜层之下,且用于将所述自电容电极连接至所述触控侦测芯片的多条导线;所述导线的图形在所述阵列基板上的正投影遮挡所述顶栅型薄膜晶体管的有源层图案。

本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏,利用自电容的原理在阵列基板上设置多个同层且相互独立的自电容电极,触控侦测芯片在触控时间段通过检测各自电容电极的电容值变化可以判断出触控位置,并且,将位于顶栅型薄膜晶体管下方的遮挡层的图形进行变更形成多条导线,一方面形成的导线可以将自电容电极连接至触控侦测芯片,实现触控功能;另一方面形成的导线图形遮挡顶栅型薄膜晶体管的有源层图案,从而避免背光照射而产生光生载流子影响正常显示。由于本发明实施例提供的触摸屏是将原有的顶栅型薄膜晶体管下方的遮挡层的图形进行变更形成与自电容电极对应的导线,因此,相对于需要在现有的阵列基板制备工艺的基础上增加两层膜层的制作工艺,仅需增加一层形成自电容电极的工艺即可实现触控功能,节省了生产成本,提高了生产效率。

在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中,所述导线在所述阵列基板上的正投影位于所述阵列基板的像素单元的间隙处。

在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中,还包括:与所述顶栅型薄膜晶体管中的源漏极同层设置的第一导通部,所述自电容电极通过所述第一导通部与所述导线电性连接;或,

还包括:与所述顶栅型薄膜晶体管中的栅极同层设置的第二导通部,所述自电容电极通过所述第二导通部与所述导线电性连接。

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