[发明专利]一种LED芯片GaP层用刻蚀液及刻蚀方法以及表面粗化方法

权利要求书

1.一种LED芯片GaP层用刻蚀液，其特征在于：其由盐酸、磷酸、硫酸和双氧水组成，所述的刻蚀液中各组分的体积分数分别为：盐酸10-20％，磷酸30-50％，硫酸10-20％，双氧水25-40％。

2.根据权利要求1所述的一种LED芯片GaP层用刻蚀液，其特征在于：所述的盐酸的质量分数为37％，磷酸的质量分数为20％，硫酸的质量分数为70％，双氧水的质量分数为75％。

3.一种LED芯片GaP层的刻蚀方法，其步骤为：

(i)制备权利要求1所述的刻蚀液；

(ii)将待刻蚀LED芯片浸入由步骤(i)制备的刻蚀液中，45℃水浴超声2-4分钟，超声频率为28KHZ，然后取出来用水冲洗，吹干；

(iii)60℃刻蚀，将经过步骤(ii)处理过的待刻蚀LED芯片再次浸入由步骤(i)制备的刻蚀液中，60℃水浴超声1-2分钟，超声频率为28KHZ，然后取出来用水冲洗，吹干。

4.权利要求1和2中的刻蚀液在LED芯片GaP层表面粗化领域中的应用。

5.一种LED芯片GaP层表面粗化方法，其步骤为：

(a)制作掩膜版，掩膜版设置有刻蚀孔和P面电极；

(b)光刻，使用步骤(a)制作的掩膜版对LED芯片的GaP层进行光刻；

(c)等离子刻蚀，对经过步骤(b)光刻后的GaP层进行等离子刻蚀，不需刻蚀的区域用光刻胶保护；

(d)湿法刻蚀，对经过步骤(c)处理的LED芯片的GaP层进行湿法刻蚀；

(e)去胶清洗，将步骤(d)得到的LED芯片进行去胶清洗。

6.根据权利要求5所述的一种LED芯片GaP层表面粗化方法，其特征在于，步骤(a)中的掩膜版上的刻蚀孔为圆形，刻蚀孔的直径为5-10μm，刻蚀孔间距3μm，P面电极位于掩膜版中心。

7.根据权利要求5或6所述的一种LED芯片GaP层表面粗化方法，其特征在于，步骤(c)中的刻蚀气体为三氯化硼、乙烯、氩气和氦气的混合气体，其中三氯化硼、乙烯、氩气和氦气的体积比为15:1:15:20到35:8:60:80，刻蚀时腔体压力维持在40Torr，对GaP层刻蚀深度为通过改变刻蚀时间控制刻蚀深度，刻蚀时间为100-150s。

8.根据权利要求5所述的一种LED芯片GaP层表面粗化方法，其特征在于，步骤(d)中的湿法刻蚀采用权利要求3中的方法。

9.根据权利要求5或6或8所述的一种LED芯片GaP层表面粗化方法，其特征在于，湿法刻蚀前刻蚀处的刻蚀孔侧面呈现垂直形貌，湿法刻蚀后会形成上方直径大、下方直径小的碗状。