[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

所述衬底中的阱区域和隔离区域；

设置在所述阱区域中的漏极区域和源极区域；

设置在所述阱区域上方的栅极电极；

设置在所述栅极电极下面的薄栅极绝缘层和厚栅极绝缘层，所述厚栅极绝缘层被设置成比所述薄栅极绝缘层更靠近所述漏极区域；以及

设置在所述栅极电极下方并且从所述漏极区域延伸到所述阱区域在所述薄栅极绝缘层下面的部分的延伸漏极结区域，

其中所述延伸漏极结区域与所述薄栅极绝缘层的一部分和所述厚栅极绝缘层重叠，

其中所述栅极电极被设置成与同所述延伸漏极结区域重叠的所述厚栅极绝缘层的整个长度重叠，以及

其中与所述薄栅极绝缘层的一部分和所述厚栅极绝缘层重叠的延伸漏极结区域相对于所述衬底的顶表面的深度比所述隔离区域的深度浅。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述阱区域是第一传导类型区域，所述漏极区域和所述源极区域是第二传导类型区域，并且所述延伸漏极结区域是第二传导类型区域。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述延伸漏极结区域具有从所述漏极区域到所述阱区域的一部分的平坦的顶表面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述延伸漏极结区域与所述栅极电极重叠的长度大于所述栅极电极与所述厚栅极绝缘层重叠的长度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述栅极电极与所述厚栅极绝缘层重叠的长度和所述延伸漏极结区域与所述栅极电极重叠的长度之间的差等于或小于0.1μm。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极绝缘层和所述漏极区域之间的半导体区域的上表面是共面的。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述延伸漏极结区域具有至的深度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第一传导类型的所述阱区域被设置成具有比所述隔离区域的深度深的深度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述漏极区域在所述延伸漏极结区域中形成并且通过所述阱区域与所述源极区域隔离。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在所述延伸漏极结区域和所述漏极区域之间的第二传导类型中阱区域。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第二传导类型中阱区域接触所述阱区域。

12.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在衬底中形成阱区域和隔离区域；

在所述衬底的所述阱区域中形成延伸漏极结区域；

形成薄栅极绝缘层和厚栅极绝缘层，使得在所述阱区域中所述薄栅极绝缘层的一部分和所述厚栅极绝缘层与所述延伸漏极结区域重叠；

在所述薄栅极绝缘层和所述厚栅极绝缘层中的每个的整个顶表面上形成栅极电极；以及

在所述栅极电极两侧形成源极区域和漏极区域，

其中所述延伸漏极结区域在所述阱区域中从所述漏极区域延伸到在所述薄栅极绝缘层下面的部分，

其中在形成所述延伸漏极结区域之后形成所述栅极电极，以及

其中与所述薄栅极绝缘层的一部分和所述厚栅极绝缘层重叠的延伸漏极结区域的相对于所述衬底的顶表面的深度比所述隔离区域的深度浅。

13.根据权利要求12所述的用于制造半导体器件的方法，进一步包括：

在所述衬底中形成深阱区域，所述深阱区域与所述薄栅极绝缘层或所述厚栅极绝缘层重叠。

14.根据权利要求12所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述薄栅极绝缘层被形成为较之所述厚栅极绝缘层更靠近所述源极区域。