[发明专利]基于并联不对称马赫增德干涉仪的带内光信噪比监测法

权利要求书

1.基于并联不对称马赫增德干涉仪的带内光信噪比监测法，所述方法分为如下步骤：

引入相应待监测的信号源；

信号与噪声通过3dB耦合器形成噪声信号；

将用作信道滤波器的光带通滤波器插在光信噪比监测方案之前；

将滤出的噪声信号送入光信噪比监测方案中计算光信噪比值；提出的光信噪比监测方案是由一个1×3耦合器和三个1×2的3dB耦合器组成的两个并联的马赫增德干涉仪；

两并联马赫增德干涉仪延时臂分别设置不同延时值；所述延时值为：延时值一3ps，延时值二10ps；

调节两个马赫增德干涉仪共用臂的相位值，使输出功率分别达到最大值和最小值，用终端的功率计记录数据；

通过计算得的可见度值和测得的噪声归一化自相关函数值计算出光信噪比；

将计算出的光信噪比与光信噪比参考值对照，并评估该监测法的性能。

2.集成基于并联不对称马赫增德干涉仪的带内光信噪比监测法，所述方法分为如下步骤：

引入相应待监测的信号源；信号与噪声通过3dB耦合器形成噪声信号；

将用作信道滤波器的光带通滤波器插在光信噪比监测方案之前；

将滤出的噪声信号送入光信噪比监测方案中计算光信噪比值；提出的光信噪比监测方案是由一个1×3耦合器和三个1×2的3dB耦合器组成的两个并联的马赫增德干涉仪；

两并联马赫增德干涉仪延时臂分别设置不同延时值；所述延时值为：延时值一3ps，延时值二10ps；

调节两个马赫增德干涉仪共用臂的相位值，使输出功率分别达到最大值和最小值，用终端的功率计记录数据；

通过计算得的可见度值和测得的噪声归一化自相关函数值计算出光信噪比；

将计算出的光信噪比与光信噪比参考值对照，并评估该监测法的性能；

集成所述基于并联不对称马赫增德干涉仪的带内光信噪比监测方案。

3.根据权利要求1～2项任一项所述的基于并联不对称马赫增德干涉仪的带内光信噪比监测法，其特征在于，两并联马赫增德干涉仪的可见度值，通过功率计测得的最大值和最小值计算获得。

4.根据权利要求3所述的基于并联不对称马赫增德干涉仪的带内光信噪比监测法，其特征在于，两并联马赫增德干涉仪分别相对于不同延时处的两个噪声自相关函数值，由带入噪声通过带通滤波器得到的归一化自相关函数谱获得。

5.根据权利要求4所述的基于并联不对称马赫增德干涉仪的带内光信噪比监测法，其特征在于，在仿真中，通过测量输入的光信噪比计算光信噪比参考值。

6.一种证明两并联马赫增德干涉仪制造半导体集成器件的可行性验证的方法，所述方法分为如下步骤：

评估马赫增德干涉仪中耦合器不平衡度对光信噪比监测的影响；

研究马赫增德干涉仪两臂间在制作过程中产生的长度偏差对测量结果的影响；

若结果显示设备的长度变化即延时误差在一定范围内不影响光信噪比的测量结果则证明基于并联不对称马赫增德干涉仪的带内光信噪比监测法能用于制作成半导体集成器件；

若显示设备的长度变化即延时误差在一定范围内影响光信噪比的测量结果则证明基于并联不对称马赫增德干涉仪的带内光信噪比监测法不能用于制作成半导体集成器件。

7.一种应用权利要求2所述集成基于并联不对称马赫增德干涉仪的带内光信噪比监测法制成的集成光信噪比监测装置，其特征在于，所述集成光信噪比监测装置包括：相位调制器(1)、1×3多模干涉耦合器(2)、1×2的3dB多模干涉耦合器a(3)、1×2的3dB多模干涉耦合器b(4)、1×2的3dB多模干涉耦合器c(5)和探测器a(6)及探测器b(7)；所述1×3多模干涉耦合器(2)通过延时值3ps的硅延时线A与所述1×2的3dB多模干涉耦合器a(3)连接；所述1×3多模干涉耦合器(2)与所述相位调制器(1)连接；所述相位调制器(1)与所述1×2的3dB多模干涉耦合器b(4)连接；所述1×3多模干涉耦合器(2)通过延时值10ps的硅延时线B与所述1×2的3dB多模干涉耦合器c(5)连接；所述1×2的3dB多模干涉耦合器b(4)与所述1×2的3dB多模干涉耦合器a(3)和1×2的3dB多模干涉耦合器c(5)连接；所述1×2的3dB多模干涉耦合器a(3)与所述探测器a(6)连接；所述1×2的3dB多模干涉耦合器c(5)与所述探测器b(7)连接；所述探测器a(6)和探测器b(7)连接并接地。