[发明专利]一种高信噪比微弱信号的采集电路有效

专利信息
申请号: 201410240170.7 申请日: 2014-05-30
公开(公告)号: CN104000584B 公开(公告)日: 2017-09-01
发明(设计)人: 程亚宇 申请(专利权)人: 深圳贝特莱电子科技股份有限公司
主分类号: A61B5/0428 分类号: A61B5/0428
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)44248 代理人: 刘显扬,韩云涵
地址: 518000 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高信噪 微弱 信号 采集 电路
【权利要求书】:

1.一种高信噪比微弱信号的采集电路,其特征在于,所述采集电路包括全差分放大模块、双端转单端放大模块、低通滤波模块、后级放大模块、右腿驱动模块及信号采集电极,所述信号采集电极的输出端连接所述全差分放大模块的输入端,所述全差分放大模块的输出端连接所述双端转单端放大模块的输入端,所述双端转单端放大模块的输出端连接所述低通滤波模块的输入端,所述低通滤波模块的输出端连接所述后级放大模块的输入端,所述后级放大模块的输出端输出处理后的心电采集信号,所述右腿驱动模块的检测端检测所述全差分放大模块的输入端采集的心电信号的共模电压并经所述右腿驱动模块的输出端反馈回人体;

所述全差分放大模块包括第一滤波模块、第二滤波模块、比例放大模块,所述第一滤波模块的输出端连接所述比例放大模块的输入端,所述第二滤波模块的输出端连接所述比例放大模块的输入端,所述第一滤波模块包括第一小电流偏置电路及第一滤波电路,所述第一小电流偏置电路的输出端连接所述第一滤波电路的输入端,所述第二滤波模块包括第二小电流偏置电路及第二滤波电路,所述第二小电流偏置电路的输出端连接所述第二滤波电路的输入端;

所述第一小电流偏置电路及第二小电流偏置电路相同,其包括电流源Ibg、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管MC1、MOS管MC2、MOS管MC3及MOS管MC4,所述电流源Ibg一端分别连接所述MOS管M1的漏极、栅极及MOS管M2的栅极,所述MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3及MOS管M4的源极相连,所述MOS管M3的栅极、漏极及MOS管M4的栅极分别连接所述MOS管MC4的漏极,所述MOS管MC4的源极连接所述MOS管MC3的漏极,所述MOS管MC4的栅极分别连接所述MOS管MC3的栅极及MOS管MC2的栅极,所述MOS管MC2的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极,所述MOS管MC1的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极,所述MOS管MC1、MOS管MC2及MOS管MC3的源极接地,所述电流源Ibg的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的采集电路,其特征在于,所述第一滤波电路包括MOS管MA1、MOS管MB1及电容C2-1,所述MOS管MA1的栅极及MOS管MB1的栅极、漏极分别连接所述第一小电流偏置电路,所述MOS管MA1的源极与MOS管MB1的源极相连,所述电容C2-1与所述MOS管MA1的漏极至源极并联;所述第二滤波电路包括MOS管MA2、MOS管MB2及电容C2-2,所述MOS管MA2的栅极及MOS管MB2的栅极、漏极分别连接所述第二小电流偏置电路,所述MOS管MA2的源极与MOS管MB2的源极相连,所述电容C2-2与所述MOS管MA2的漏极至源极并联。

3.根据权利要求2所述的采集电路,其特征在于,所述MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管MC1、MOS管MC2、MOS管MC3、MOS管MC4、MOS管MA1、MOS管MA2、MOS管MB1及MOS管MB2均采用P-MOS。

4.根据权利要求3所述的采集电路,其特征在于,所述比例放大模块包括双端输入双端输出的全差分放大器OTA、电容C1-1、电容C1-2、电容C2-1及电容C2-2,所述全差分放大器OTA的正输入端连接所述电容C1-1的一端,所述电容C2-1与所述全差分放大器OTA的正输入端至负输出端并联,所述全差分放大器OTA的负输入端连接所述电容C1-2的一端,所述电容C2-2与所述全差分放大器OTA的负输入端至正输出端并联,所述全差分放大器OTA与四个电容构成电容比例放大电路实现增益Av的放大。

5.根据权利要求1-4任一项所述的采集电路,其特征在于,所述双端转单端放大模块包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4及双输入单输出的放大器AMP1,所述放大器AMP1的A端连接所述电阻R2的一端,所述电阻R1的一端分别连接所述电阻R3的一端及放大器AMP1的B端,所述电阻R4与所述放大器AMP1的A端至C端并联。

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