[发明专利]一种非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池

权利要求书

1.一种非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池，其特征在于，包括自下而上依次平行设置的金属反射层、基底层、透明背部电极层、微晶硅薄膜层、中间层、绝缘层和非晶硅纳米线阵列层，所述非晶硅纳米线阵列层包括多个垂直于所述绝缘层且间隔设置的非晶硅纳米线，所述非晶硅纳米线包括依次由外而内且径向设置的p型非晶硅层、i型非晶硅层、n型非晶硅核，所述绝缘层上设有多个与所述n型非晶硅核一一对应设置的纳米孔，所述n型非晶硅核向下延伸到其对应的纳米孔内部并与所述中间层的上表面接触，所述p型非晶硅层和所述i型非晶硅层设于所述绝缘层的上表面，同时在所述绝缘层未覆盖非晶硅纳米线区域填充有透明电极间隔层。

2.根据权利要求1所述的非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池，其特征在于，

所述非晶硅纳米线的长度及所述透明电极间隔层的厚度均为200～400nm；

相邻非晶硅纳米线之间的轴心间距为500～1000nm；

所述非晶硅纳米线的直径为200～800nm，其中所述p型非晶硅层的厚度及所述n型非晶硅核的半径各为20～50nm。

3.根据权利要求1所述的非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池，其特征在于，所述微晶硅薄膜层包括自下而上依次平行设置的n型微晶硅薄膜层、i型微晶硅薄膜层、p型微晶硅薄膜层。

4.根据权利要求3所述的非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池，其特征在于，

所述微晶硅薄膜层的厚度为1500～3000nm，其中所述n型微晶硅薄膜层及所述p型微晶硅薄膜层的厚度各为10～30nm。

5.根据权利要求1所述的非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池，其特征在于，

所述金属反射层的厚度为100～200nm；

所述基底层的厚度为300～3000μm；

所述透明背部电极层的厚度为50～100nm；

所述中间层的厚度为10～30nm；

所述绝缘层的厚度为10～30nm。

6.根据权利要求1至5所述的非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池，其特征在于，

所述金属反射层为Ti、Pd或Ag金属反射层；

所述基底层为SiO₂玻璃基底层；

所述透明背部电极层为In₂O₃:Sn、SnO₂:F、ZnO:Al透明背部电极层；

所述中间层为ZnO中间层；

所述绝缘层为SiO₂绝缘层；

所述透明电极间隔层为In₂O₃:Sn、SnO₂:F、ZnO:Al透明电极间隔层。