[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置有效
申请号: | 201410240517.8 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN104022128B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 杨盛际;董学;王海生;薛海林;刘英明;赵卫杰;刘红娟;丁小梁;王磊;王春雷 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 以及 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上的栅极和栅线,位于所述栅极和栅线所在膜层上的有源层;其特征在于,还包括:
与所述有源层同层设置且电性绝缘的像素电极;
位于所述有源层和像素电极所在膜层上的漏极、源极和数据线;其中,所述漏极与像素电极直接电性连接;
位于所述漏极、源极和数据线所在膜层上,且与所述漏极、源极、数据线和像素电极电性绝缘的公共电极层和多条导线;
其中,所述导线与所述公共电极层异层设置,所述公共电极层包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极,且每条所述导线通过过孔与对应的自电容电极电性连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导线所在膜层位于所述漏极、源极和数据线所在膜层和所述公共电极层之间。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述漏极、源极和数据线所在膜层和所述公共电极层之间设置有钝化层;
所述导线所在膜层位于所述钝化层和所述公共电极层之间;
所述阵列基板还包括:
包含所述过孔的第一绝缘层,位于所述导线所在膜层和所述公共电极层之间;
其中,所述导线通过所述第一绝缘层包含的过孔,与所述自电容电极电性连接。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极和栅线所在膜层与所述有源层和像素电极所在膜层之间设置有栅绝缘层。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导线所在膜层位于所述公共电极层之上。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
包含所述过孔的第二绝缘层,位于所述导线所在膜层和所述公共电极层之间;
其中,所述导线通过所述第二绝缘层包含的过孔,与所述自电容电极电性连接。
7.如权利要求1~6任一所述的阵列基板,其特征在于,所述导线在所述衬底基板上的正投影位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影内;和/或
所述导线在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影内。
8.如权利要求1~6任一所述的阵列基板,其特征在于,将所述导线作为在显示扫描时间内向所述公共电极层供电的公共电极线使用。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~8任一项所述的阵列基板。
10.一种如权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成所述栅极和栅线;
在所述栅极和栅线所在膜层上形成同层设置且电性绝缘的所述有源层和像素电极;
在所述有源层和像素电极所在膜层上形成所述漏极、源极和数据线;其中,所述漏极与像素电极直接电性连接;
在所述漏极、源极和数据线所在膜层上形成与所述漏极、源极、数据线和像素电极电性绝缘的公共电极层和多条导线;
其中,所述导线与所述公共电极层异层设置,所述公共电极层包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极,且每条所述导线通过过孔与对应的自电容电极电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的