[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置有效

专利信息
申请号: 201410240517.8 申请日: 2014-05-30
公开(公告)号: CN104022128B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 杨盛际;董学;王海生;薛海林;刘英明;赵卫杰;刘红娟;丁小梁;王磊;王春雷 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制作方法 以及 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上的栅极和栅线,位于所述栅极和栅线所在膜层上的有源层;其特征在于,还包括:

与所述有源层同层设置且电性绝缘的像素电极;

位于所述有源层和像素电极所在膜层上的漏极、源极和数据线;其中,所述漏极与像素电极直接电性连接;

位于所述漏极、源极和数据线所在膜层上,且与所述漏极、源极、数据线和像素电极电性绝缘的公共电极层和多条导线;

其中,所述导线与所述公共电极层异层设置,所述公共电极层包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极,且每条所述导线通过过孔与对应的自电容电极电性连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导线所在膜层位于所述漏极、源极和数据线所在膜层和所述公共电极层之间。

3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述漏极、源极和数据线所在膜层和所述公共电极层之间设置有钝化层;

所述导线所在膜层位于所述钝化层和所述公共电极层之间;

所述阵列基板还包括:

包含所述过孔的第一绝缘层,位于所述导线所在膜层和所述公共电极层之间;

其中,所述导线通过所述第一绝缘层包含的过孔,与所述自电容电极电性连接。

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极和栅线所在膜层与所述有源层和像素电极所在膜层之间设置有栅绝缘层。

5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导线所在膜层位于所述公共电极层之上。

6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,还包括:

包含所述过孔的第二绝缘层,位于所述导线所在膜层和所述公共电极层之间;

其中,所述导线通过所述第二绝缘层包含的过孔,与所述自电容电极电性连接。

7.如权利要求1~6任一所述的阵列基板,其特征在于,所述导线在所述衬底基板上的正投影位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影内;和/或

所述导线在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影内。

8.如权利要求1~6任一所述的阵列基板,其特征在于,将所述导线作为在显示扫描时间内向所述公共电极层供电的公共电极线使用。

9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~8任一项所述的阵列基板。

10.一种如权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:

在衬底基板上形成所述栅极和栅线;

在所述栅极和栅线所在膜层上形成同层设置且电性绝缘的所述有源层和像素电极;

在所述有源层和像素电极所在膜层上形成所述漏极、源极和数据线;其中,所述漏极与像素电极直接电性连接;

在所述漏极、源极和数据线所在膜层上形成与所述漏极、源极、数据线和像素电极电性绝缘的公共电极层和多条导线;

其中,所述导线与所述公共电极层异层设置,所述公共电极层包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极,且每条所述导线通过过孔与对应的自电容电极电性连接。

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