[发明专利]形成互连结构的方法

说明书

本发明提供一种形成互连结构的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层，以形成开口，使所述开口入口处为截面呈倒梯形的结构，或者，使开口的底部为截面呈倒梯形的结构；在所述开口中填充金属层。本发明的有益效果在于，使所述开口入口处为截面呈倒梯形的结构，或者，使开口的底部为截面呈倒梯形的结构，这样有利于改善开口的填充条件，有利于提高在开口中填充金属层的填充效果，从而提高了互连结构的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种形成互连结构的方法。

背景技术

随着集成电路制造技术的不断发展，集成电路的集成度越来越高，相应的，集成电路中半导体器件的互连结构的排布也更为密集。

现有技术中形成互连结构(例如金属插塞或者金属互连线)的方法包括：在层间介质层中先形成孔或开口，之后在已经形成有孔或者开口的层间介质层中填充金属，并通过平坦化工艺去除部分金属，使剩余的位于所述孔或者开口中的金属形成互连结构。

如上面所述，由于互连结构的排布更为密集，互连结构的电连接可靠性受到影响，因此，如何尽量提高互连结构的可靠性，成为本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种形成互连结构的方法，以提高互连结构的可靠性。

为解决上述问题，本发明提供一种形成互连结构的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成层间介质层；

刻蚀所述层间介质层形成开口，使所述开口入口处为截面呈倒梯形的结构，或者使开口的底部为截面呈倒梯形的结构；

在所述开口中填充金属层。

可选的，刻蚀层间介质层形成开口的步骤包括：采用第一氟基刻蚀剂、第二氟基刻蚀剂刻蚀所述层间介质层，所述第一氟基刻蚀剂中氟的原子个数的比例与第二氟基刻蚀剂中氟的原子个数的比例不同。

可选的，刻蚀层间介质层形成开口的步骤包括：

先采用第一氟基刻蚀剂进行刻蚀，然后采用第二氟基刻蚀剂进行刻蚀以形成所述开口；所述第二氟基刻蚀剂中氟的原子个数的比例大于所述第一氟基刻蚀中氟的原子个数的比例，以使所述开口入口处为截面呈倒梯形的结构。

可选的，刻蚀层间介质层形成开口的步骤包括：先采用全氟丁二烯气体作为第一氟基刻蚀剂刻蚀所述层间介质层，然后采用四氟化碳气体作为第二氟基刻蚀剂刻蚀所述层间介质层，以形成所述开口。

可选的，刻蚀层间介质层形成开口的步骤包括：

先采用第二氟基刻蚀剂进行刻蚀，然后采用第一氟基刻蚀剂进行刻蚀以形成所述开口；所述第二氟基刻蚀剂中氟的原子个数的比例大于所述第一氟基刻蚀中氟的原子个数的比例，以使所述开口的底部为截面呈倒梯形的结构。

可选的，刻蚀层间介质层形成开口的步骤包括，先采用四氟化碳气体作为第二氟基刻蚀剂刻蚀所述层间介质层，然后采用全氟丁二烯气体作为第一氟基刻蚀剂刻蚀所述层间介质层，以形成所述开口。

可选的，采用全氟丁二烯气体刻蚀所述层间介质层的步骤包括，在全氟丁二烯气体中加入氩气。

可选的，采用全氟丁二烯气体刻蚀所述层间介质层的步骤包括：

使刻蚀气压不大于30毫托；

使全氟丁二烯气体的流量在5～200sccm的范围内；

使氩气的流量在200～2000sccm的范围内；

使刻蚀机的源功率以及偏置功率均在200～3000瓦的范围内。