[发明专利]将施主晶片扭曲到寄主晶片的相应扭曲的方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

确定寄主晶片的结合表面的平面扭曲；以及

扭曲施主晶片的结合表面，从而使得施主晶片结合表面的扭曲对应于所确定的寄主晶片结合表面的平面扭曲。

2.根据权利要求1的方法，其还包括在扭曲施主晶片结合表面的步骤之后结合施主晶片与寄主晶片。

3.根据权利要求1的方法，其中，确定寄主晶片的结合表面的平面扭曲包括确定寄主晶片中的多个扭曲标记的位置。

4.根据权利要求3的方法，其中，每一个扭曲标记是以下各项的其中之一：寄主晶片中的对准标记上的位置；以及寄主晶片中的结构上的位置。

5.根据权利要求1的方法，其中，扭曲施主晶片的结合表面包括：

通过多个固定点把施主晶片安放在结合卡盘上，所述结合卡盘包括能够相对于彼此移动的多个区块；以及

相对于彼此移动各个区块，从而导致施主晶片的结合表面的扭曲。

6.根据权利要求5的方法，其中：

寄主晶片的结合表面的平面扭曲包括径向向外方向上的扭曲；并且

所述多个区块包括中心圆形区块以及一个或多个邻接的圆环状区块。

7.根据权利要求1的方法，其中，基于以下各项当中的一项或多项扭曲施主晶片的结合表面：表面形变是弹性的程度；表面形变是塑性的程度；以及施主晶片表面的弹性形变恢复所花费的时间中的滞后效应。

8.一种用以分离已结合晶片的方法，其包括：

将已结合晶片对安放在具有平坦卡盘面的第一和第二结合卡盘之间，第一结合卡盘面包括能够相对于彼此移动的多个区块，所述相对移动的至少一个分量沿着垂直于第一结合卡盘的平坦卡盘面的轴；以及

在协调相对移动中移动第一结合卡盘面的多个区块，从而使得在所述晶片对的结合面之间形成加宽间隙。

9.根据权利要求8的方法，其中，所述协调相对移动沿着晶片结合面的所有半径的长度从更大的径向尺寸向内形成所述加宽间隙。

10.根据权利要求8的方法，其中，所述协调相对移动沿着晶片结合面的直径的长度从所述直径的一端到另一端形成所述加宽间隙。

11.根据权利要求8的方法，其还包括重新结合所述晶片对。

12.根据权利要求8的方法，其中，所述多个区块包括以下各项当中的一项或多项：规则形状的区块，不规则形状的区块，以及任意形状的区块。

13.根据权利要求12的方法，其中，所述多个区块包括中心椭圆区块以及一个或多个邻接的椭圆环状区块。