[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.发光二极管芯片，包括：

一第一半导体层，具有一第一区域及一第二区域；   

一发光层，形成于所述第一半导体层的第一区域上；

一第二半导体层，形成于所述发光层上，其具有一顶面、一底面和一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与第二半导体层内侧的底面形成一锐角；

一透明导电层，形成于部分所述第二半导体层的顶面并延伸至所述第二半导体层的倾斜侧壁上；

一第一电极和一第二电极分别形成于所述第一半导体层的第二区域上和透明导电层上。

2.发光二极管芯片，包括：

一第一半导体层； 

一发光层，形成于所述第一半导体层上；

一第二半导体层，形成于所述发光层上，其具有若干个凸起，且所述凸起具有一顶面、一底面和至少一倾斜侧边，所述倾斜侧边与底面内侧形成一锐角；

一透明导电层，形成于部分所述凸起的顶面并延伸至所述凸起的倾斜侧边上；

一电极形成于所述透明导电层上。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：定义夹在所述相邻凸起之间的区域为沟道，还在所述沟道上形成透明导电层。

4.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述凸起的倾斜侧边呈相互平行。

5.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述锐角介于15~75°之间。

6.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述透明导电层延伸至第二半导体层的倾斜侧壁或倾斜侧边上，有效增加欧姆接触面积，降低发光二极管操作电压。

7.发光二极管芯片的制作方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成发光外延叠层，其至少包含一第一半导体层、一发光层和一第二半导体层，其中所述第一半导体层，具有一第一区域及一第二区域；

通过蚀刻工艺，从所述第二半导体的表面向下蚀刻至第一半导体层，使得部分第一半导体层裸露出来，即第二区域裸露出来，而发光层位于所述第一半导体层的第一区域上；

通过蚀刻工艺或者激光切割或者钻刀切割或前述任意组合之一，使得所述第二半导体形成一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与第二半导体层内侧的底面形成一锐角；

在部分所述第二半导体层的顶面沉积透明导电层并延伸至所述第二半导体层的倾斜侧壁上；

分别在所述第一半导体层的第二区域上和透明导电层上制作第一电极和第二电极。

8.发光二极管芯片的制作方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成发光外延叠层，其至少包含一第一半导体层、一发光层和一第二半导体层；

通过蚀刻工艺或者激光切割或者钻刀切割或前述任意组合之一，在所述第二半导体层上形成具有若干个凸起，并使得所述凸起具有一顶面、一底面和至少一倾斜侧边，即所述倾斜侧边与底面内侧形成一锐角；

至少在所述部分凸起的顶面形成透明导电层并延伸至所述凸起的倾斜侧边上；

在所述透明导电层上制作电极。

9.根据权利要求8所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：定义夹在所述相邻凸起之间的区域为沟道，透明导电层还形成于所述沟道上。

10.根据权利要求8所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述凸起的倾斜侧边呈相互平行。