[发明专利]一种室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法

权利要求书

1.一种室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，对待镀膜的基材进行盘刷、滚刷清洗并进行烘干或者静电除尘，去除待镀膜的基材的镀膜面的杂质，将处理后的待镀膜的基材进行烘干之后送入洁净室；

步骤二，镀膜设备为连续式磁控溅射镀膜设备，靶材为AZO靶材，AZO靶材的纯度为3N以上，将待镀膜的基材从洁净室放入连续式磁控溅射镀膜设备的工艺腔体，对工艺腔体进行抽真空，本底真空度要求优于5×10^-4Pa；

步骤三，向工艺腔体内充入工艺气体，使工艺腔体内气压保持在0.1~0.7Pa，镀膜环境要求空气洁净度达到十万量级，湿度50%以下，温度在16～26℃之间，开启续式磁控溅射镀膜设备的阴极电源，对基材的镀膜面进行溅射镀膜，其中调整连续式磁控溅射镀膜设备镀膜的工艺参数为：靶材溅射功率为1~5w/cm ² ，靶材与基材间的距离为10~25cm，基材传输速度为0.5~3.0m/min。

2.根据权利要求1所述的室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法，其特征在于，步骤二中所述的AZO靶材中用于掺杂的Al₂O₃比例范围在1~3%。

3.根据权利要求1所述的室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法，其特征在于，步骤三中工艺气体为惰性气体。

4.根据权利要求1所述的室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法，其特征在于，步骤三中工艺气体为惰性气体和氧气的混合气体，氧气占所述混合气体的体积含量低于10%。

5.根据权利要求1所述的室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法，其特征在于，所述连续式磁控溅射镀膜设备为阴极磁场成孪生闭合非平衡磁场形式的立式或卧式连续式磁控溅射镀膜设备。

6.根据权利要求1所述的室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法，其特征在于，步骤三中充入工艺气体的气体流量控制精度为1sccm。

7.根据权利要求1所述的室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法，其特征在于，步骤三中调整连续式磁控溅射镀膜设备镀膜的工艺参数还包括：所述阴极电源采用恒电流模式，电流为30~45A，沉积电压为350~450V。

8.根据权利要求1所述的室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法，其特征在于，步骤二中所述靶材的数量对8对以上。

9.根据权利要求1所述的室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法，其特征在于，步骤一中所述待镀膜的基材为玻璃。

10.根据权利要求1所述的室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法，其特征在于，步骤一中所述待镀膜的基材为PET薄膜。