[发明专利]一种像素结构及采用该像素结构的有机发光显示器

说明书

本申请是申请号为201310747572.1，申请日为2013年12月31日，名称为“一种像素结构及采用该像素结构的有机发光显示器”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及有机发光显示技术领域，具体地说，是一种像素结构及采用该像素结构的有机发光显示器。

背景技术

OLED（Organic Light-Emitting Diode ，有机发光二极管）是主动发光器件。与传统的LCD（Liquid Crystal Display，液晶显示器）显示方式相比，OLED显示技术无需背光灯，具有自发光的特性。OLED采用非常薄的有机材料膜层和玻璃基板，当有电流通过时，有机材料就会发光。因此OLED显示屏能够显著节省电能，可以做得更轻更薄，比LCD显示屏耐受更宽范围的温度变化，而且可视角度更大。OLED显示器有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。

OLED屏体的彩色化方法有许多种，现在较为成熟并已经成功量产的OLED彩色化技术是OLED蒸镀技术，其采用传统的RGB Stripe（RGB条状）排列方式进行蒸镀。其中画面效果最好的是side-by-side（并置）的方式。side-by-side方式是在一个像素（Pixel）范围内有红、绿、蓝（R、G、B）三个子像素（sub-pixel），每个子像素均呈四边形，且各自具有独立的有机发光元器件，它是利用蒸镀成膜技术透过高精细金属掩膜板（Fine Metal Mask，FMM）在array（阵列）基板上相应的像素位置形成有机发光元器件。制作高PPI（Pixel Per Inch，点每英寸）OLED屏体的技术重点在于精细及机械稳定性好的高精细金属掩膜板，而高精细金属掩膜板的关键在于像素及子像素的排布方式。

目前业界已经有缝（slit）、槽（slot）、Pentile和IGNIS等排布方式，但由于掩模板（Mask）开口面积有规格下限，以及为了避免制作过程受公差（tolerance）的影响，相邻像素的开口之间需要预留间隙（gap）而导致像素密度，如PPI无法得到大幅提升，以及像素排列不是真实意义上的真彩显示等原因，使得以上方案还不能很好的解决像素密度提升的问题。

传统的像素排布方式，每个像素分别由R、G、B三色组成。如图1所示的像素排布方式，在一个像素内分成R、G、B三个相互平行的子像素，每个子像素均呈四边形，根据对应RGB器件性能的不同来调节R、G、B子像素对应四边形的大小。如图1所示，像素区域100包括R子像素区域101、R发光区102、G子像素区域103、G发光区104、B子像素区域105及B发光区106，图中所示R、G、B子像素的区域和发光区面积分别相等，实施时根据需要面积可作调整。

图1A和图1B分别为对应于图1的两种蒸镀Mask。其中，图1A、图1B中的107、109为Mask遮挡区，蒸镀区开口108、110的开口可以是缝（slit）或槽（slot）两种。

图1A为slit式蒸镀Mask，其相对应的金属掩膜板开口大小与子像素的大小相对应。该金属掩膜板的开口方式主要特点是在屏体内同一列的所有子像素共用同一个开口，金属掩膜板开口在长度方向上较长，随着显示屏尺寸的增大，金属掩膜板的开口长度也需要随之增长， 相邻开口之间的非开口部分形成金属长条（stripe）。

Slit开口方式对于低PPI的OLED屏体来说，金属掩膜板上相邻开口的间距较大，金属长条较宽，金属掩膜板的制作及使用管理较容易。但是此种开口方式在高PPI的OLED屏体应用时，高精细金属掩膜板上相邻开口的间距变小，金属长条较细，金属掩膜板在使用过程中金属长条容易受磁铁板磁力线方向的影响而变形，造成子像素间不同颜色材料相互污染而混色，产品的生产良率较低。此外，此种金属掩膜板在使用、清洗和保管过程中也容易受损变形，重复利用率不高，因为金属掩膜板的成本高， 所以此种方式制作的屏体成本也较高。

图1B为slot式蒸镀Mask，该种金属掩膜板的开口方式主要特点是在slit开口中位于像素间的位置增加了bridge（连接桥），连接相邻的金属长条，将原来的一个长条开口改变成多个开口单元。此方法使得金属掩膜板的金属长条较为稳固，解决了上述slit开口方式金属长条容易受磁力线及外力影响而变形的问题。但是在考虑金属掩膜板长尺寸精度，为了避免蒸镀时对子像素产生遮蔽效应，子像素与bridge间必须保持足够的距离，子像素的上下的长度缩小，而影响了每一个子像素的开口率。