[发明专利]晶圆级封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一第一基板和第二基板，所述第一基板为MEMS器件晶圆，所述第二基板为封盖晶圆；

在第一基板及第二基板表面分别形成焊环区域，

在所述第一基板和第二基板的焊环区域内形成焊环，所述焊环包括结构层及焊料层，所述结构层厚度为几十至几百微米，所述焊料层厚度小于3微米；

以所述第一基板的焊环和第二基板的焊环为中间层，对所述第一基板及第二基板进行键合，所述第一基板的焊环与所述第二基板的焊环形成深腔，所述深腔用于容纳外部器件；

将键合后的晶圆划为单个芯片；

在所述形成焊环步骤之前，在所述第一基板和第二基板的表面均形成阻挡层及种子层，在形成焊环步骤之后，键合步骤之前，去除所述第一基板和第二基板的表面焊环覆盖区域以外的阻挡层及种子层。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述焊料层表面制作有保护层。

3.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述形成焊环步骤之前，在所述第二基板需要形成焊环的表面制作第二光子晶体结构。

4.根据权利要求3所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述第二基板需要形成焊环的表面相对的表面制作与所述第二光子晶体结构对应的第一光子晶体结构。

5.根据权利要求4所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述制作第一光子晶体结构的方法包括如下步骤：

在所述第二基板需要形成焊环的表面相对的表面形成第一光子晶体结构的图形；

刻蚀所述图形窗口中的第二基板的表面，形成第一光子晶体结构。

6.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在键合步骤之前，在所述第二基板焊环围成的区域内沉积吸气剂薄膜。

7.一种封装结构，包括第一基板和第二基板，所述第一基板与所述第二基板通过分别设置在第一基板及第二基板上的焊环键合在一起，其特征在于，所述第一基板为MEMS器件晶圆，所述第二基板为封盖晶圆，所述第一基板的焊环和第二基板的焊环形成深腔，所述深腔用于容纳外部器件，所述焊环包括结构层及焊料层，所述结构层厚度为几十至几百微米，所述焊料层厚度小于3微米，所述第一基板与所述第一基板的结构层之间设置有阻挡层及种子层，所述第二基板与所述第二基板的结构层之间设置有阻挡层及种子层。

8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，在所述深腔内的第二基板的表面制作有第二光子晶体结构。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，在所述第二基板与所述深腔相对的表面制作有与所述第二光子晶体结构对应的第一光子晶体结构。