[发明专利]晶圆级封装方法及晶圆

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一衬底晶圆和一封盖晶圆，所述衬底晶圆和封盖晶圆的表面分别制作有焊环； 在所述衬底晶圆上制作定位孔，在所述封盖晶圆上制作定位销； 将所述定位孔与所述定位销对准，以实现衬底晶圆与封盖晶圆的对准； 以所述衬底晶圆的焊环和封盖晶圆的焊环为中间层，对所述衬底晶圆和封盖晶圆进行键合。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述定位孔中制作支撑柱，所述支撑柱支撑所述定位销，以使所述衬底晶圆的焊环和封盖晶圆的焊环之间具有间隙。

3.根据权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在键合步骤之前，抽真空后，断裂所述支撑柱，以使所述衬底晶圆的焊环和封盖晶圆的焊环接触。

4.根据权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述定位销的高度与所述衬底晶圆的焊环和封盖晶圆的焊环的总高度之差小于所述定位孔的深度，以保证键合时所述衬底晶圆的焊环和封盖晶圆的焊环接触。

5.根据权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述定位销的高度与所述衬底晶圆的焊环和封盖晶圆的焊环的总高度之差大于所述定位孔深度与所述支撑柱高度之差，以保证在抽真空时所述衬底晶圆的焊环和封盖晶圆的焊环之间具有间隙。

6.根据权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述支撑柱采用深硅刻蚀的方法制作。

7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述定位孔及定位销制作在所述衬底晶圆的焊环和封盖晶圆的焊环的外侧。

8.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述定位孔采用深硅刻蚀的方法制作，所述定位销采用电镀的方法制作。

9.一种晶圆，包括衬底晶圆和封盖晶圆，所述衬底晶圆和封盖晶圆的表面分别设置有焊环，所述衬底晶圆的焊环与所述封盖晶圆的焊环贴合，其特征在于，在所述衬底晶圆上设置有定位孔，在所述封盖晶圆上设置有定位销，所述定位销插入所述定位孔中，以实现衬底晶圆与封盖晶圆的对准。

10.根据权利要求9所述的晶圆，其特征在于，所述定位孔及定位销设置在所述衬底晶圆的焊环和封盖晶圆的焊环的外侧。