[发明专利]柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法，具有如下步骤：

(1)采用固相烧结法制备P掺杂的ZnO靶材即PZO靶材

按Zn_1-xP_xO，其中x＝0.02～0.1对应元素的化学计量比称取ZnO和P₂O₅粉体，充分混合后压制成型，再放入电炉中于1150℃烧制成PZO陶瓷靶材；

(2)将清洁干燥的衬底放入磁控溅射样品台上；

(3)将磁控溅射系统的本底真空度抽至1.0×10^-3P以下，然后加热衬底至200℃；

(4)在步骤3系统中，使用Ar和O₂作为溅射气体。溅射功率为50～200W，进行沉积得到厚度为200～500mm的PZO薄膜。

2.根据权利要求1所述的柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)的ZnO和P₂O₅原料纯度均在99.5％以上。

3.根据权利要求1所述的柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)的烧制的条件为：逐步升温至200℃保温10小时，然后逐步升温至1150℃保温1小时。

4.根据权利要求1所述的柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)的衬底为商用普通的聚对萘二甲酸乙二醇酯即PEN衬底。

5.根据权利要求1所述的柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)的Ar和O₂的纯度均在99.99％以上，其分压比在0.02与0.1之间。

6.根据权利要求1所述的柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)的PZO薄膜的厚度通过调节制备工艺参数或沉积时间控制。

7.根据权利要求1所述的柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)的电阻率通过调节靶材中的P的含量以及制备过程中的氧分压来控制。