[发明专利]透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管及其制备方法

权利要求书

1.一种透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管，化学式为Ba_xSr_1-xTiO₃，其中x﹦0.5～0.7；

该透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管的制备方法，具体步骤如下：

(1)采用固相烧结法制备Ba_xSr_1-xTiO₃靶材，其中x﹦0.5～0.7；

按照Ba_xSr_1-xTiO₃对应元素的化学计量比称取原料BaTiO₃和SrTO₃，充分混合后压制成型，置于电炉中于1350～1500℃烧制Ba_xSr_1-xTiO₃靶材；

(2)将清洁干燥的氧化铟锡即ITO玻璃衬底放入磁控溅射样品台上；

(3)将磁控溅射系统的本底真空度抽至5.0×10^-7～7.0×10^-6Torr，然后加热ITO玻璃衬底至400～700℃；

(4)在步骤(3)系统中，使用Ar和O₂作为溅射气体，溅射功率为50～200W，进行沉积得到Ba_xSr_1-xTiO₃，其中x﹦0.5～0.7的薄膜；薄膜厚度为150～500nm；

(5)步骤(3)的ITO玻璃衬底温度降至100℃以下时，取出制品，在氧气气氛炉中进行后退火处理；

(6)步骤(5)退火处理后的Ba_xSr_1-xTiO₃，其中x﹦0.5～0.7的薄膜上面利用掩膜版制备金属电极，制得透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管。

2.根据权利要求1所述的透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管，其特征在于，所述步骤(1)的原料BaTiO₃和SrTiO₃的纯度均在99％以上。

3.根据权利要求1所述的透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管，其特征在于，所述步骤(2)的ITO玻璃衬底为商用的普通ITO玻璃衬底。

4.根据权利要求1所述的透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管，其特征在于，所述步骤(4)的Ar和O₂的纯度均在99.99％以上，磁控溅射系统中的氧气和氩气的分压比在1/15与1/4之间。

5.根据权利要求1所述的透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管，其特征在于，所述步骤(4)沉积得到的薄膜厚度通过调节工艺参数或者沉积时间来控制。

6.根据权利要求1所述的透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管，其特征在于，所述步骤(5)的氧气氛炉中通入的氧气压强0.01～0.1Mpa，氧气纯度为99-99.9999％；所述退火温度300～700℃，退火时间为5～60min。

7.根据权利要求1所述的透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管，其特征在于，所述步骤(6)的电极为圆形电极，直径为0.1～0.3mm，电极材料为Au或Pt；电极制备方法为热蒸镀法或者溅射法。

8.根据权利要求1所述的透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管，其特征在于，该透明Ba_xSr_1-xTiO₃，其中x﹦0.5～0.7的薄膜压控变容管的透过率≥75；调谐率≥40％，测试频率1MHz。