[发明专利]电光学装置、电光学装置的制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201410242625.9 | 申请日: | 2014-06-03 |
公开(公告)号: | CN104241538B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 野泽陵一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
本发明涉及电光学装置、电光学装置的制造方法以及电子设备。作为电光学装置的有机EL装置的特征在于,具有:基板;设置在上述基板上的第1区域的发光元件;以包围上述第1区域的方式设置的保护线;以及覆盖上述第1区域并且到达上述保护线的密封膜或者密封结构。
技术领域
本发明涉及电光学装置、该电光学装置的制造方法、以及具备该电光学装置的电子设备。
背景技术
作为电光学装置,已知一种具备有机电致发光元件(以下,称为有机EL元件)的有机EL装置,该有机电致发光元件具有阳极、阴极、以及配置在阳极与阴极之间且包含发光层的功能层。
若水分等从外部浸入功能层,则有机EL元件有时会失去发光功能。因此,在具备有机EL元件的电光学装置中,为了使水分等不浸入有机EL元件,采用密封有机EL元件的结构。
例如,专利文献1公开了具有形成覆盖作为阴极发挥作用的第2电极的缓冲层的工序、和形成覆盖该缓冲层的气体阻挡层的工序的有机EL装置的制造方法。并且,还公开了在形成覆盖第2电极的电极保护层之后形成该缓冲层的方法。
根据这样的有机EL装置的制造方法,由于即使使用水分阻隔性优异的无机膜作为气体阻挡层,在与有机EL元件之间也形成缓冲层,所以与直接以气体阻挡层覆盖有机EL元件的情况相比,能够减少因热量、压力等的应力而在气体阻挡层产生裂缝、剥离的情况,能够实现具有优异的气体阻挡性的密封结构。
专利文献1:日本特开2006-147528号公报
然而,即使采用了上述专利文献1所示的密封结构,在实际的有机EL装置的制造中,若欲从布局多个有机EL装置而形成的母基板取出各个有机EL装置而切割母基板,则有可能水分等从切割面浸入,而失去有机EL元件的发光功能。特别是,若为小型的有机EL装置,则与大型的有机EL装置相比,难以充分确保从切割面到有机EL元件的距离,期望密封结构的改善。
发明内容
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而提出的,能够作为以下的方式或者应用例实现。
应用例
本应用例所涉及的电光学装置的特征在于,具有:基板;设置在上述基板上的第1区域的发光元件;以包围上述第1区域的方式设置的保护线;以及覆盖上述第1区域并且到达上述保护线的密封膜或者密封结构。
根据本应用例的结构,不仅能够通过密封膜或者密封结构密封发光元件,还能够通过保护线减少水分等从基板的端面侧浸入而发光元件的发光功能降低、失去。因此,能够提供具备在发光功能上具有较高的可靠性品质的发光元件的电光学装置。
在上述应用例所涉及的电光学装置中,上述密封膜或者上述密封结构也可以在上述基板的至少一个边以到达上述保护线的方式设置。
根据该结构,通过在基板的至少一个边以到达保护线的方式设置密封膜或者密封结构,与没有保护线的情况相比,能够使发光功能的可靠性品质提高。
在上述应用例所涉及的电光学装置中,上述基板具有设置有外部连接用端子的第1边,上述密封膜或者上述密封结构也可以在除了上述第1边之外的边以到达上述保护线的方式设置。
在上述应用例所涉及的电光学装置中,优选上述密封膜或者上述密封结构在上述基板的四个边以到达上述保护线的方式设置。
根据这些结构,能够提供具备在发光功能上具有更高的可靠性品质的发光元件的电光学装置。
在上述应用例所涉及的电光学装置中,其特征在于,具有设置在上述基板上的多个配线层,上述保护线包括分别设置在上述多个配线层中的至少两个配线层的配线。
根据该构成,遍及基板的多个配线层中至少两个配线层设置保护线,所以能够抑制水分等从至少两个配线层所涉及的基板的端面侧浸入。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择