[发明专利]功率因数校正电路、发光二极管驱动电路和照明设备有效
申请号: | 201410242874.8 | 申请日: | 2014-06-03 |
公开(公告)号: | CN105337485B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 何俊男;陈少屏 | 申请(专利权)人: | 朗德万斯公司 |
主分类号: | H02M1/42 | 分类号: | H02M1/42 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 麦善勇;张天舒<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率因数 校正 电路 发光二极管 驱动 照明设备 | ||
1.一种升压型功率因数校正PFC电路,包括:
PFC控制器;
PFC开关,所述PFC开关受所述PFC控制器的输出的控制;和
连接在所述PFC开关与地之间的等效可变电阻器,所述PFC控制器的反馈电流输入端连接到所述PFC开关和所述等效可变电阻器之间的节点,并且所述反馈电流输入端接收的信号受所述等效可变电阻器的电阻控制,
其中,所述等效可变电阻器的电阻值受所述PFC电路的输出电压控制,其中在所述PFC电路工作于交流市电或传统镇流器输入的情况下,所述电阻值保持恒定最小,而在所述PFC电路工作于电子镇流器输入的情况下,所述电阻值随所述PFC电路的输出电压的减小而增大。
2.根据权利要求1所述的PFC电路,还包括采样电路,被配置为根据所述PFC电路的输出电压生成与之成特定比例的电压,其中,所述等效可变电阻器包括金属氧化物场效应MOS晶体管,所述采样电路所生成的电压连接到所述MOS晶体管的栅极,其中,所述等效可变电阻器的电阻值随着所述MOS晶体管的饱和导通、线性导通状态而变化。
3.根据权利要求2所述的PFC电路,其中,所述等效可变电阻器还包括第一电阻器和第二电阻器,所述第一电阻器与所述MOS晶体管串联后再与所述第二电阻器并联。
4.根据权利要求3所述的PFC电路,其中,所述MOS晶体管和所述采样电路被配置为:在所述PFC电路工作于交流市电或传统镇流器输入的情况下,所述MOS晶体管工作在饱和导通状态。
5.根据权利要求3所述的PFC电路,其中,所述MOS晶体管和所述采样电路被配置为:在所述PFC电路工作于电子镇流器输入的情况下,所述MOS晶体管工作在线性导通状态。
6.根据权利要求4所述的PFC电路,其中,所述MOS晶体管和所述采样电路被配置为:在所述PFC电路工作于电子镇流器输入的情况下,所述MOS晶体管工作在线性导通状态。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的PFC电路,其中,
所述PFC控制器将由所述反馈电流输入端接收的信号与所述PFC电路中设定的特定阈值进行比较,当所述信号的值达到所述特定阈值时,使所述PFC开关断开,并且,当所述信号的值为0时,使所述PFC开关闭合。
8.根据权利要求7所述的PFC电路,其中,所述特定阈值与所述PFC电路的输入电压相关。
9.根据权利要求8所述的PFC电路,其中,所述特定阈值与所述PFC电路的输出电压相关。
10.一种用于发光二极管的驱动电路,包括根据权利要求1至9中任一项所述的升压型PFC电路。
11.一种发光二极管照明设备,包括根据权利要求10所述的驱动电路。
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