[发明专利]功率因数校正电路、发光二极管驱动电路和照明设备有效

专利信息
申请号: 201410242874.8 申请日: 2014-06-03
公开(公告)号: CN105337485B 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 何俊男;陈少屏 申请(专利权)人: 朗德万斯公司
主分类号: H02M1/42 分类号: H02M1/42
代理公司: 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 麦善勇;张天舒<国际申请>=<国际公布>
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 功率因数 校正 电路 发光二极管 驱动 照明设备
【权利要求书】:

1.一种升压型功率因数校正PFC电路,包括:

PFC控制器;

PFC开关,所述PFC开关受所述PFC控制器的输出的控制;和

连接在所述PFC开关与地之间的等效可变电阻器,所述PFC控制器的反馈电流输入端连接到所述PFC开关和所述等效可变电阻器之间的节点,并且所述反馈电流输入端接收的信号受所述等效可变电阻器的电阻控制,

其中,所述等效可变电阻器的电阻值受所述PFC电路的输出电压控制,其中在所述PFC电路工作于交流市电或传统镇流器输入的情况下,所述电阻值保持恒定最小,而在所述PFC电路工作于电子镇流器输入的情况下,所述电阻值随所述PFC电路的输出电压的减小而增大。

2.根据权利要求1所述的PFC电路,还包括采样电路,被配置为根据所述PFC电路的输出电压生成与之成特定比例的电压,其中,所述等效可变电阻器包括金属氧化物场效应MOS晶体管,所述采样电路所生成的电压连接到所述MOS晶体管的栅极,其中,所述等效可变电阻器的电阻值随着所述MOS晶体管的饱和导通、线性导通状态而变化。

3.根据权利要求2所述的PFC电路,其中,所述等效可变电阻器还包括第一电阻器和第二电阻器,所述第一电阻器与所述MOS晶体管串联后再与所述第二电阻器并联。

4.根据权利要求3所述的PFC电路,其中,所述MOS晶体管和所述采样电路被配置为:在所述PFC电路工作于交流市电或传统镇流器输入的情况下,所述MOS晶体管工作在饱和导通状态。

5.根据权利要求3所述的PFC电路,其中,所述MOS晶体管和所述采样电路被配置为:在所述PFC电路工作于电子镇流器输入的情况下,所述MOS晶体管工作在线性导通状态。

6.根据权利要求4所述的PFC电路,其中,所述MOS晶体管和所述采样电路被配置为:在所述PFC电路工作于电子镇流器输入的情况下,所述MOS晶体管工作在线性导通状态。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的PFC电路,其中,

所述PFC控制器将由所述反馈电流输入端接收的信号与所述PFC电路中设定的特定阈值进行比较,当所述信号的值达到所述特定阈值时,使所述PFC开关断开,并且,当所述信号的值为0时,使所述PFC开关闭合。

8.根据权利要求7所述的PFC电路,其中,所述特定阈值与所述PFC电路的输入电压相关。

9.根据权利要求8所述的PFC电路,其中,所述特定阈值与所述PFC电路的输出电压相关。

10.一种用于发光二极管的驱动电路,包括根据权利要求1至9中任一项所述的升压型PFC电路。

11.一种发光二极管照明设备,包括根据权利要求10所述的驱动电路。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗德万斯公司,未经朗德万斯公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410242874.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top