[发明专利]一种提升面阵探头分辨率的检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及超声波探伤技术领域，特别涉及一种提升面阵探头分辨率的检测方法。

背景技术

在金属试件及零件无损检测中，超声波探伤技术是一种重要手段。超声波在被检测材料中传播时，材料的声学特性和内部组织的变化对超声波的传播产生一定的影响，通过对超声波受影响程度和状况的探测从而了解材料性能和结构变化的技术称为超声检测。超声波探伤是利用超声波能透入金属内部，并由一个截面进入另一个截面时，在截面边缘发生反射的特点来检测缺陷零件的一种方法。

而晶片是超声波探伤仪中最核心的部件，通过晶片发射脉冲波到待测工件，将待测工件反射回来的脉冲波进行处理分析后得出待测工件的缺陷图形，现有技术中，以10mm直径探头为例，在8*8的晶片阵列中需要52个晶片，而只有晶片之间的间距达到1.25mm时才能覆盖探头的10mm直径范围，而且每个晶片在工作是都是单独发射和接收脉冲波，这就导致了晶片间距为1.25mm时探伤仪的分辨力不足1.25mm，而不能对零件进行精确探伤，如果通过增加晶片的数量来提高分辨率的话，那么必然会提高探伤仪的成本，而且功耗也会加大。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种不必增加晶片数量就可，并能大大提高探测仪探伤分辨率的一种检测方法。本发明提供的一种提升面面阵分辨率的检测方法的技术方案如下：

本发明提供了一种提升面阵探头分辨率的检测方法，包括如下步骤：

步骤一，在超声波面阵探头上具有N个晶片，并且N个晶片以面阵的形式排列，其中N表示晶片的个数；

步骤二，芯片控制晶片a发射m次脉冲波射向待测工件，其中a表示第a个晶片，m表示发射脉冲的次数；

步骤三，被待测工件反射回来的脉冲波被晶片a和与晶片a相邻的m-1个晶片依次分别接收；

步骤四，当所述N个晶片都发射m次脉冲波，并且经待测工件反射回来的脉冲波被全部接收；

步骤五，重复步骤一至步骤四的过程，直至探伤完毕；

步骤六，主机将接收到的脉冲波经分析处理后得出待测工件的缺陷图形，并通过主机上的显示器显示出来。

进一步特征为步骤二还包括如下步骤：

第一步，计时器预先设定一固定的时间间隔，使其与芯片相连接；

第二步，芯片通过控制与脉冲波发射电路相连接的第一开关，使脉冲波发射电路与第一晶片相连接，第一晶片发射第一次脉冲波射向待测工件；

第三步，计时器达到时间间隔后，向芯片发送时间信号；

第四步，芯片接收到时间信号后，控制第一晶片发射第二次脉冲波射向待测工件，直至第一晶片发射第m次脉冲波射向待测工件，第一晶片完成工作，此时与芯片相连接的计数器计数为1；

第五步，计时器达到时间间隔后，向芯片发送时间信号；

第六步，芯片接收到时间信号后，控制脉冲波发射电路与第二晶片相连接，第二晶片发射第一次脉冲波射向待测工件，重复第三步至第四步的工作过程，直至计数器计数为2；

第七步，通过芯片控制第三晶片至晶片N重复第五步至第六步的工作过程，直至计数器计数为N。

进一步特征为步骤三还包括如下步骤：

第一步，芯片通过控制与脉冲波接收电路相连接的第二开关，控制脉冲波接收电路与第一晶片相连接，第一晶片接收待测工件反射回来的脉冲波；

第二步，第一晶片完成接收后，芯片通过控制与脉冲波接收电路相连接的第二开关，使晶片b与脉冲波接收电路相连接，晶片b接收待测工件反射回来的脉冲波，晶片b表示与第一晶片横向相邻的晶片；

第三步，晶片b完成接收后，芯片通过控制与脉冲波接收电路相连接的第二开关，使晶片c与所述脉冲波接收电路相连接，晶片c接收待测工件反射回来的脉冲波，晶片c表示与第一晶片纵向相邻的晶片；

第四步，晶片c完成接收后，芯片通过控制与脉冲波接收电路相连接的第二开关，使晶片d与脉冲波接收电路相连接，晶片d接收待测工件反射回来的脉冲波，晶片d表示与第一晶片斜向相邻的晶片；

第五步，第一晶片完成工作后，第二晶片重复第一步至第四步的过程，直至晶片N完成依次完成第一步至第四步的过程。

进一步特征为芯片为可编程芯片。

进一步特征为N个晶片为52个晶片。

进一步特征为步骤二中的m等于4。

本发明同现有技术相比，具有以下优点和有益效果：