[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，包括：

提供基底，所述基底上形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有底部电极；

在所述底部电极上方形成牺牲层；

在所述牺牲层和部分所述层间介电层上形成第一顶部电极层；

在所述第一顶部电极层上沉积形成第二顶部电极层；

刻蚀所述第一顶部电极层和所述第二顶部电极层，以形成开口暴露部分所述牺牲层；

去除所述牺牲层，以形成压力传感器空腔；

在所述第二顶部电极层上形成覆盖层，以填充所述开口；

对所述覆盖层进行第一刻蚀，停止于所述第二顶部电极层上；

对暴露出的所述第二顶部电极层进行第二刻蚀，以形成沟槽暴

露部分所述第一顶部电极层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一顶部电极层的材料为锗硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一顶部电极层的厚度范围为200nm～600nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二顶部电极层自下而上包括金属层和金属氮化物层的两层结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属层的材料为Ti，所述金属氮化物层的材料为TiN。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在沉积所述TiN时，保持氩气和氮气的流量比值范围在50:5到50:50之间。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属层的厚度范围为0～40nm，所述金属氮化物层的厚度范围为20～80nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀具有所述覆盖层对所述第二顶部电极层的高刻蚀选择比。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二刻蚀具有所述第二顶部电极层对所述第一顶部电极层的高刻蚀选择比。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为氮化硅。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底中形成有CMOS器件。

12.一种半导体器件，包括：

基底；

位于所述基底上的层间介电层；

位于所述层间介电层内的压力传感器底部电极；

位于所述底部电极上方的压力传感器空腔；

位于所述压力传感器空腔上方并覆盖部分所述层间介电层的第一顶部电极层；

位于所述第一顶部电极层上方的第二顶部电极层；

位于所述第二顶部电极层上方的覆盖层，其中所述覆盖层和所述第二顶部电极层中还形成有沟槽，暴露部分所述第一顶部电极层。

13.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，所述第一顶部电极层的材料为锗硅。

14.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，所述第一顶部电极层的厚度范围为200nm～600nm。

15.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，所述第二顶部电极层为自下而上的金属层和金属氮化物层的两层结构。

16.根据权利要求15所述的器件，其特征在于，所述金属层的材料为Ti，所述金属氮化物层的材料为TiN。

17.根据权利要求16所述的器件，其特征在于，所述金属层的厚度范围为0～40nm，所述金属氮化物层的厚度范围为20～80nm。

18.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，所述覆盖层的材料为氮化硅。

19.一种电子装置，其包括权利要求12-18中任一项所述的半导体器件。