[发明专利]液晶光栅及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410243264.X 申请日: 2014-06-03
公开(公告)号: CN104035229A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 杨磊;夏军;张晓兵 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/1337
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210096 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 液晶 光栅 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种液晶光栅,其包括:

上基板,其上设透明导电薄膜;

下基板,其上依次光刻形成条状下接地电极层,在所述下接地电极上沉积第一电介质层,在所述电介质层上形成与所述下接地电极平行交错的寻址电极,在所述寻址电极上再次沉积第二电介质层,再在所述第二电介质层形成与下接地电极重叠的条状上接地电极;

液晶,夹设在所述上基板和所述下基板之间。

2.根据权利要求1所述的液晶光栅,其特征在于:所述第一、二电介质层为透明的绝缘电介质。

3.根据权利要求1所述的液晶光栅,其特征在于:所述上接地电极、所述寻址电极和所述下接地电极都为透明的ITO电极。

4.根据权利要求1所述的液晶光栅,其特征在于:对所述寻址电极施加寻址电压,所述下接地电极、所述上接地电极和所述上基板的所述透明导电薄膜层接地。

5.根据权利要求1所述的液晶光栅,其特征在于:所述上、下基板为镀有ITO导电薄膜的玻璃基板。

6.一种光栅器件的制造方法,其包括以下步骤:

a、在下基板上通过光刻胶涂布、曝光、显影、刻蚀工艺形成条状下接地电极的图案;

b、在所述下接地电极的上方涂覆第一电介质层,然后沉积ITO薄膜,再经过光刻胶涂布、曝光、显影、刻蚀工艺形成与所述下接地电极平行交错的条状寻址电极的图案;

c、在所述寻址电极的上方涂覆第二电介质层,然后沉积ITO薄膜,再经过光刻胶涂布、曝光、显影、刻蚀工艺形成与下接地电极重叠的条状上接地电极的图案;

d、在所述下基板的所述上接地电极上旋涂取向剂聚乙酰胺并用摩擦机进行摩擦取向,取向方向为平行取向,在上玻璃基板的ITO接地电极层上旋涂取向剂聚乙酰胺并用摩擦机进行摩擦取向,取向方向为平行取向;

e、在所述下基板的三层电极外围空间喷涂隔离子;

f、用点胶机对上玻璃基板进行点胶封框,框定液晶所在区域,并留一个开口以便灌注液晶,将上基板与下基板对位贴合;

g、利用含浸法从封盒后的开口处灌注液晶,灌注完成后,进行封口。

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