[发明专利]成像探测器及其制造方法

权利要求书

1.一种成像探测器的制造方法，包括步骤：

提供基底，其包括半导体衬底和第一介质层，在半导体衬底内具有CMOS电路，在第一介质层内具有呈阵列排布的第一互连孔，所述基底表面具有位于四个相邻的接触孔之间的反射层；

其特征在于，还包括步骤：

在所述基底上形成牺牲层；

刻蚀所述牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；

利用导电材料填充所述通孔形成第二互连孔；

在所述牺牲层和第二互连孔上形成金属层；

在金属层上形成第二介质层；

利用干法刻蚀去掉部分区域的第二介质层和金属层，使得相邻的四个第二互连孔分别通过4根金属线和其上的第二介质层连接到所述反射层上方的位置，并且其中连接对角的两个第二互连孔的金属线被第二介质层覆盖；连接另外对角的两个第二互连孔的金属线延伸到反射层上方的部分被暴露，其中所述干法刻蚀方法为：利用HBr气体对第二介质层和金属层同步刻蚀。

在反射层所对应的第二介质层上形成热敏电阻，所述热敏电阻覆盖延伸到反射层上方的暴露的金属线；

去除牺牲层。

2.如权利要求1所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，所述热敏电阻为非晶硅材料。

3.如权利要求1所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，形成牺牲层步骤之前还包括在所述基底上形成覆盖所述反射层的粘附层，粘附层材料为锗硅和/或多晶锗。

4.如权利要求1所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为非晶碳和/或PI。

5.如权利要求1所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，在刻蚀牺牲层之前还包括在牺牲层上形成粘附层，粘附层的材料为：锗硅和/或含氧氮化硅；

在形成第二互连孔之后去除所述粘附层。

6.如权利要求1所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，填充所述通孔是利用锗硅材料。

7.如权利要求1所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层的材料为氮化硅，厚度100至150埃。

8.如权利要求1所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，金属层为钛或氮化钛层厚度为：80至100埃，并且在形成金属层之前包括在牺牲层上形成粘附层。

9.如权利要求8所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀具体参数为：压力8-10mT，功率450-500W，利用100-120sccmCL₂、100-120sccmHBr和5-50sccmO₂。

10.一种成像探测器，包括：

基底，其包括半导体衬底和第一介质层，在半导体衬底内具有CMOS电路，在第一介质层内具有呈阵列排布的第一互连孔，所述基底表面具有位于四个相邻的接触孔之间的反射层，反射层上方具有一空腔；

其特征在于，还包括位于空腔内的：

和第一互孔贯通的第二互连孔，第二互连孔的材料为：锗硅；

所示反射层上方具有热敏电阻，相邻的四个第二互连孔分别通过4根金属线和其上的第二介质层连接到所述反射层上方的热敏电阻，并且其中连接对角的两个第二互连孔的金属线被第二介质层覆盖；连接另外对角的两个第二互连孔的金属线延伸到反射层上方的部分和热敏电阻互连。