[发明专利]一种降低石墨烯方阻的掺杂转移方法

权利要求书

1.一种降低石墨烯方阻的掺杂转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将转移膜上的石墨烯薄膜进行清洗后烘烤；

(2)用掺杂试剂对烘烤之后的石墨烯薄膜进行掺杂；

(3)对掺杂之后的石墨烯薄膜进行预处理；

(4)将步骤(1)得到的未掺杂的或者步骤(3)得到的掺杂并预处理的石墨烯薄膜转移至目标衬底上，进行烘烤之后去除转移膜；

(5)重复步骤(1)～步骤(4)至少一次。

2.根据权利要求1所述的降低石墨烯方阻的掺杂转移方法，其特征在于：所述步骤(1)中的刻蚀为湿法刻蚀，包括化学刻蚀和电化学刻蚀。

3.根据权利要求1所述的降低石墨烯方阻的掺杂转移方法，其特征在于：所述步骤(1)中的转移膜的主要结构包括基材和胶层两部分，所述基材包括聚乙烯、聚苯二甲酸乙二醇酯、定向聚丙烯、聚丙烯、聚氯乙烯和热释放胶带；所述胶层包括PU胶、硅胶或者亚克力胶。

4.根据权利要求1所述的降低石墨烯方阻的掺杂转移方法，其特征在于：所述步骤(1)与步骤(4)中的烘烤温度为30℃～150℃，烘烤时间为1min～10h。

5.根据权利要求1所述的降低石墨烯方阻的掺杂转移方法，其特征在于：所述步骤(2)中的掺杂试剂包括氯化铜、氯化钙、氯化金、氯化铁、氯化钠、氯化锌、氯化铝、双三氟甲烷磺酰亚胺极其衍生物、氯金酸、硝酸、氢氟酸、盐酸、硝基甲烷、无水乙醇、水中的一种或者至少两种的混合物。

6.根据权利要求1所述的降低石墨烯方阻的掺杂转移方法，其特征在于：所述步骤(2)中的掺杂试剂的浓度为1mmol/L～1mol/L。

7.根据权利要求1所述的降低石墨烯方阻的掺杂转移方法，其特征在于：所述步骤(2)中的掺杂方法包括旋涂、喷涂、喷雾、浸泡中的一种或者至少两种的组合；掺杂时间为10s～10min。

8.根据权利要求1所述的降低石墨烯方阻的掺杂转移方法，其特征在于：所述步骤(3)中的预处理的方法包括烘烤、吹干、晾干、除尘、光照中的一种或者至少两种的组合。

9.根据权利要求1所述的降低石墨烯方阻的掺杂转移方法，其特征在于，所述步骤(4)中的目标衬底包括柔性目标衬底或者硬质目标衬底；所述的柔性目标衬底包括聚苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚氯乙烯和聚乙烯，所述的硬质目标衬底包括玻璃、亚克力板和硅片。