[发明专利]铜基材的化学镀层结构及其工艺在审
申请号: | 201410244153.0 | 申请日: | 2014-06-03 |
公开(公告)号: | CN104066267A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 王江锋;何志刚;李云华 | 申请(专利权)人: | 深圳市创智成功科技有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02 |
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地址: | 518052 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材 化学 镀层 结构 及其 工艺 | ||
1.一种铜基材的化学镀层结构,其特征在于,包括铜基材,所述铜基材的表面上设有导电区和非导电区,所述铜基材的导电区上包覆有置换钯层,且所述铜基材的导电区包覆置换钯层后由下至上依次化学镀有化学镀钯层和化学镀金层。
2.根据权利要求1所述的铜基材的化学镀层结构,其特征在于,所述化学镀钯层为纯钯层或钯磷合金层。
3.根据权利要求2所述的铜基材的化学镀层结构,其特征在于,所述化学镀钯层的厚度在0.01-0.5μm之间。
4.根据权利要求1所述的铜基材的化学镀层结构,其特征在于,所述化学镀金层的厚度在0.01-0.3μm之间。
5.根据权利要求1所述的铜基材的化学镀层结构,其特征在于,所述铜基材的厚度在0.1-100μm之间。
6.根据权利要求5所述的铜基材的化学镀层结构,其特征在于,所述铜基材为真空镀铜、覆铜或电镀铜的一种或几种的组合。
7.根据权利要求6所述的铜基材的化学镀层结构,其特征在于,所述铜基材为印制线路板上的铜基材或晶圆电极上的铜基材。
8.一种铜基材的化学镀层结构的工艺,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,铜基材经过活化处理工艺;其中该工艺中的钯离子浓度在10-2000ppm,使得铜基材的导电区具有一定的置换钯层;
步骤2,经过活化处理工艺后进行化学镀钯,使得在铜基材上形成化学镀钯层;
步骤3,在化学镀钯后再进行化学镀金,使得在化学镀钯层上形成化学镀金层。
9.根据权利要求8所述的铜基材的化学镀层结构,其特征在于,所述活化处理工艺之前还包括步骤0,该步骤0为对铜基材进行清洁除油、微蚀和预浸工艺。
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