[发明专利]液晶面板以及液晶显示器在审
申请号: | 201410244565.4 | 申请日: | 2014-06-04 |
公开(公告)号: | CN103984165A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 柴立 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;杨林 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶面板 以及 液晶显示器 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示器技术领域,尤其涉及一种液晶面板以及包含该液晶面板的液晶显示器。
背景技术
液晶显示器,或称LCD(LiquidCrystalDisplay),为平面超薄的显示设备,它由一定数量的彩色或黑白像素组成,放置于光源或者反射板前方。液晶显示器功耗很低,并且具有高画质、体积小、重量轻的特点,因此倍受大家青睐,成为显示器的主流。液晶显示器已广泛使用于各种电子产品中,例如,具显示屏幕的计算机设备、行动电话、或数字相框等,而广视角技术为目前液晶显示器的发展重点之一。然而,当侧看或斜视的视角过大时,广视角液晶显示器常会发生色偏(colorshift)现象。
液晶面板是液晶显示器的重要组成部分,液晶面板中包含多个像素单元,各个像素单元可包含:像素电极、设置于薄膜晶体管(TFT)基板侧的共享电极TFTcom、及设置于彩色滤光(CF)基板侧的共享电极CFcom;其中,该像素电极与该共享电极TFTcom形成该像素单元的储存电容Cst,且该像素电极与该共享电极CFcom形成该像素单元的液晶电容Clc。传统中解决上述提到的色偏问题的方法,是通过将液晶面板中的每个像素单元分为两个像素区域,在其中的一个像素区域中增加补偿电容,使两个像素区域中的子像素具有不用的液晶电容Clc,以使不同像素区域产生不同的透射率与施加电压的关系,使液晶面板实现低色偏(lowcolorshift)的效果。图1是现有的一种液晶面板的像素单元结构的等效电路的图示。如图1所示,液晶面板中,多个像素单元10位于相互垂直的多条数据线Data与多条扫描线Gate之间(图1中只是示例性的示出了其中一个像素单元),每一像素单元10分为两个像素区域10a和10b。像素区域10a中包含有连接到数据线Data和扫描线Gate的薄膜晶体管T1,在像素区域10a中像素电极与彩色滤光基板侧的共享电极形成液晶电容Clc1,与薄膜晶体管基板侧的共享电极TFTcom形成存储电容Cst1;像素区域10b中包含有连接到数据线Data和扫描线Gate的薄膜晶体管T2,在像素区域10b中像素电极与彩色滤光基板侧的共享电极形成液晶电容Clc2,与薄膜晶体管基板侧的共享电极TFTcom形成存储电容Cst2,像素区域10b中还增加有补偿电容Cdown,补偿电容Cdown的一端连接到薄膜晶体管基板侧的共享电极TFTcom,另一端通过一共享薄膜晶体管(sharingTFT)T3连接到一共享扫描线(sharinggateline)Gate0。由于增加了补偿电容Cdown,液晶面板在工作时,像素区域10b与像素区域10a产生不同的透射率与施加电压的关系达到解决液晶面板色偏的问题。
但是,在上述的液晶面板结构中,由于每个像素单元中增加了补偿电容Cdown、共享薄膜晶体管(sharingTFT)T3以及共享扫描线(sharinggateline)Gate0,增大了液晶面板的制备工艺难度,增加了产品的成本;并且大大增加了液晶面板的开口率,影响了液晶面板的显示质量。
发明内容
为了解决上述现有技术所存在的问题,本发明提供了一种液晶面板,该液晶面板设置位于彩色滤光基板上的共同电极的布局结构,使像素单元中的第一像素区域和第二像素区域具有不用的液晶电容,达到解决液晶面板色偏的问题;另外,该共同电极的布局结构易于实现,制备工艺简单。
为了实现上述目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种液晶面板,包括相对设置的薄膜晶体管基板和彩色滤光基板以及位于所述薄膜晶体管基板和彩色滤光基板之间的液晶层,所述薄膜晶体管基板上设置有多个像素电极,所述彩色滤光基板上设置有一共同电极,所述液晶面板包含有多个像素单元,其中,每一像素单元包括第一像素区域和第二像素区域,所述彩色滤光基板上还设置有第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述第一像素区域且位于所述彩色滤光基板与所述共同电极之间,所述第二绝缘层设置于所述第二像素区域且位于所述彩色滤光基板与所述共同电极之上,以使第二像素区域中的像素电极与共同电极之间的距离大于第一像素区域中的像素电极与共同电极之间的距离。
优选地,所述第一绝缘层和第二绝缘层具有相同的厚度。
优选地,所述第一绝缘层和第二绝缘层的厚度范围是50nm~1000nm。
优选地,所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度。
优选地,所述第二绝缘层的厚度与所述第一绝缘层的厚度的差异为50nm~500nm。
优选地,所述第一绝缘层和第二绝缘层的材料为氮化硅或氧化硅。
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