[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410245009.9 | 申请日： | 2014-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN105226047B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 杨欢;宋华;王蛟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/532;H01L21/768;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 汪洋,高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有布线金属层，所述布线金属层上形成有介电层，所述介电层包括依次形成的第一介电层、第二介电层和第三介电层，其中所述第二介电层的材料不同于所述第一介电层和所述第三介电层；
b)依次对所述第三介电层、所述第二介电层和所述第一介电层进行图案化，以形成第一凹槽；
c)采用湿法刻蚀从所述第一凹槽向两侧对所述第二介电层进行刻蚀，以在所述第一介电层和所述第三介电层之间形成横向槽，并使所述第一凹槽暴露所述布线金属层；以及
d)在所述布线金属层以及所述第三介电层上形成反射层，且所述布线金属层上的反射层与所述第三介电层上的反射层断开。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述a)步骤中，所述介电层的形成方法包括：
在所述布线金属层上形成所述第一介电层；
对所述第一介电层进行图案化，以形成暴露所述布线金属层的第二凹槽，其中所述第二凹槽位于所述第一凹槽的周围；
在所述第二凹槽内和所述第一介电层上形成所述第二介电层；以及
在所述第二介电层上形成所述第三介电层。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀还包括去除所述第二凹槽内的所述第二介电层的至少一部分。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法在形成所述第二凹槽后且形成所述第二介电层之前，还包括在所述第二凹槽内和所述第一介电层上形成刻蚀停止层。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一介电层和所述第三介电层的材料为正硅酸乙酯，所述第二介电层的材料为硼磷硅玻璃。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀剂为氢氟酸。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述b)步骤中，所述第一凹槽内剩余预定厚度的所述第一介电层。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第三介电层和所述反射层之间形成有钝化层。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述反射层的材料为Ag。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1-9中任何一项所述的半导体器件的制作方法制备。
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