[发明专利]热固型芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种热固型芯片接合薄膜，其特征在于，其在热固化后的导热系数为1W/m·K以上，

其含有相对于热固型芯片接合薄膜整体为75重量％以上的导热系数为12W/m·K以上的导热性颗粒，

所述热固型芯片接合薄膜在130℃下以50秒^-1的剪切速率测定的熔融粘度为200Pa·s以下。

2.根据权利要求1所述的热固型芯片接合薄膜，其特征在于，所述导热性颗粒的平均粒径为1μm以上且10μm以下。

3.根据权利要求1所述的热固型芯片接合薄膜，其特征在于，其含有热塑性树脂和热固性树脂，

将所述热固性树脂的含有重量份记为A、将所述热塑性树脂的含有重量份记为B时，A/B为5以上。

4.根据权利要求3所述的热固型芯片接合薄膜，其特征在于，所述热固性树脂包含软化点为100℃以下的热固性树脂。

5.根据权利要求3所述的热固型芯片接合薄膜，其特征在于，所述热固性树脂包含在室温下呈液态的热固性树脂。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：

准备权利要求1～5中任一项所述的热固型芯片接合薄膜的工序；以及

夹着所述热固型芯片接合薄膜，将半导体芯片芯片接合到被粘物上的芯片接合工序。

7.一种带切割片的芯片接合薄膜，其特征在于，其在切割片上层叠有权利要求1～5中任一项所述的热固型芯片接合薄膜，所述切割片在基材上层叠有粘合剂层。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：

准备权利要求7所述的带切割片的芯片接合薄膜的工序；

将所述带切割片的芯片接合薄膜的热固型芯片接合薄膜与半导体晶圆的背面进行贴合的贴合工序；

将所述半导体晶圆与所述热固型芯片接合薄膜一起进行切割，形成芯片状的半导体芯片的切割工序；

将所述半导体芯片与所述热固型芯片接合薄膜一起从所述带切割片的芯片接合薄膜拾取的拾取工序；以及

夹着所述热固型芯片接合薄膜，将所述半导体芯片芯片接合到被粘物上的芯片接合工序。