[发明专利]等离子体处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁

权利要求书

1.一种半导体等离子体处理装置，其包括：

真空室，在其中处理半导体衬底；

工艺气体源，其与所述真空室流体连通以将工艺气体供给到所述真空室中；

RF能量源，其适于在所述真空室中将所述工艺气体激励成等离子体状态；

室壁，其中所述室壁包括用于将等离子体兼容液体供给到其暴露于等离子体的表面的机构，其中所述液体被供给到所述暴露于等离子体的表面的一部分并流经所述暴露于等离子体的表面，其中流动的所述等离子体兼容液体在所述暴露于等离子体的表面上形成流动的保护性液体层；以及

液体供给器，其将所述等离子体兼容液体输送到所述室壁。

2.如权利要求1所述的半导体等离子体处理装置，其中

(a)用于供给所述液体的所述机构包括所述室壁中的液体进给通路，其中所述液体进给通路构造来将所述液体分送到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面的上部使得所述液体流动到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面的下部从而在所述暴露于等离子体的表面上形成所述流动的保护性液体层；

(b)用于供给所述液体的所述机构包括所述室壁中的分送通道，其中所述分送通道与所述室壁中的液体进给通路流体连通使得所述分送通道能够使所述液体穿过所述液体进给通路供给到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面；

(c)用于供给所述液体的所述机构包括所述室壁中的分送通道，其中所述液体被配置为从所述分送通道溢流出使得所述分送通道能够将所述液体供给到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面；

(d)用于供给所述液体的所述机构包括所述室壁中的液体流入通道和液体流出通道，其中所述液体流入通道和所述液体流出通道与所述室壁中的分送通道流体连通使得供给到所述室壁的所述液体能够往来于所述室壁循环；和/或

(e)用于供给所述液体的所述机构包括所述室壁中的液体进给通路，其中所述液体进给通路构造来将所述液体分送到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面的一部分，其中所述室壁被转动使得所述液体流经所述室壁的所述暴露于等离子体的表面从而在所述暴露于等离子体的表面上形成流动的保护性液体层。

3.如权利要求2所述的半导体等离子体处理装置，其中

(a)所述室壁是多孔陶瓷而所述液体进给通路是所述多孔陶瓷的孔，且所述孔被构造来将所述液体输送穿过所述多孔陶瓷的所述孔到达所述室壁的所述暴露于等离子体的表面；或者

(b)所述室壁是金属材料而所述液体进给通路是成图案的毛细管大小的洞，所述毛细管大小的洞被构造来将所述液体输送到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面。

4.如权利要求1所述的半导体等离子体处理装置，其中

(a)所述室壁的所述暴露于等离子体的表面是倾斜表面；

(b)所述室壁的所述暴露于等离子体的表面是竖直表面；

(c)所述室壁是室衬；

(d)所述室壁包括液体收集盘；

(e)所述室壁由铝、铝合金、氧化铝、矾土、不锈钢、氧化硅、石英、硅、碳化硅、YAG、氧化钇、氟化钇、氧化铈、氮化铝、石墨或者它们的组合物制成；

(f)所述室壁包括其暴露于等离子体的表面上的微槽，其中所述微槽均匀地分送供给到所述暴露于等离子体的表面的所述液体使得所述液体形成连续的流动的保护性液体层；和/或

(g)所述室壁包括其暴露于等离子体的表面上的肋状物，其中所述肋状物分送供给到所述暴露于等离子体的表面的所述液体使得所述液体形成连续的流动的保护性液体层。

5.如权利要求1所述的半导体等离子体处理装置，其中

(a)所述装置是电感耦合等离子体处理装置；

(b)所述装置是电容耦合等离子体处理装置；

(c)所述装置是电子回旋共振等离子体处理装置；

(d)所述装置是螺旋波等离子体处理装置；或者

(e)所述装置是微波等离子体处理装置。