[发明专利]用于紫外探测的薄膜体声波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种用于紫外探测的薄膜体声波谐振器，其特征在于：包括连续堆叠在同一个衬底上成为一体的压电振荡堆和声波反射层；其中，压电振荡堆包括自下而上依次沉积的底电极、压电层和上电极；所述上电极的材质为具有紫外透射性且能够与压电层形成肖特基结的金属薄膜，便于紫外光线透过上电极照射在压电层上；

所述声波反射层包括基片、基片上沉积的支撑层、压电振荡堆沉积在支撑层上；所述声波反射层为空气隙结构、或布拉格反射层结构、或背腔刻蚀结构；当声波反射层为背腔刻蚀结构，所述基片上设置有刻蚀形成的空气腔。

2.根据权利要求1所述的用于紫外探测的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述压电层的材质为ZnO，厚度为500-5000nm。

3.根据权利要求1所述的用于紫外探测的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述上电极金属薄膜的在紫外波段的透射率大于60%。

4.根据权利要求1所述的用于紫外探测的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述底电极的材质为Al或Au，厚度为10-300nm。

5.根据权利要求1所述的用于紫外探测的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述上电极的材质为栅格状结构的Ag，采用直流反应磁控溅射或者射频反应磁控溅射的方式沉积形成，厚度为50-150nm。

6.根据权利要求1所述的用于紫外探测的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述上电极的材质为Au，采用电子束蒸发或者热蒸发的方式沉积形成，厚度为5-50nm。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的用于紫外探测的薄膜体声波谐振器的制备方法，包括以下步骤：首先使用热生长的方法在基片上生长100-500nm的支撑层二氧化硅；随之使用标准的正胶剥离工艺和电子束蒸发的方法沉积金属底电极；然后采用直流反应磁控溅射的方法生长压电层薄膜ZnO；随着压电薄膜沉积结束后，将基片进行第一次快速退火操作，以增大ZnO的颗粒尺寸，减小薄膜之间的拉硬力和膜层之间的界面态；退火操作结束以后，使用与底电极相同的工艺步骤形成上电极，并将压电层薄膜图形化，刻蚀出通孔，最后使用深反应离子刻蚀的方法刻蚀出空气腔，与基片和支撑层构成声波反射层。