[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池，包括衬底层，以及沿远离衬底层的方向依次设置在衬底层上的背电极层、光吸收层、缓冲层、高阻透明导电窗口层、低阻透明导电窗口层和采集电极，其特征在于，所述低阻透明导电窗口层包括阵列型纳米孔，所述阵列型纳米孔的深度小于或等于所述低阻透明导电窗口层的厚度；所述阵列型纳米孔的开孔面积占所述低阻透明导电窗口层面积的50％～80％，单个所述纳米孔横截面的截面积为1×10⁴～4×10⁶nm²。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述阵列型纳米孔为圆形孔、方形孔或六角形孔中的一种。

3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述衬底层为不锈钢或铝导电材料层。

4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述背电极层为钼材料层、钛材料层、铬材料层、铜材料层中的一种。

5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述光吸收层为铜铟镓硒化物材料层、铜铟镓硫化物材料层中的一种。

6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层为硫化锌材料层、硫化镉材料层、硫化铟材料层中的一种。

7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述高阻透明导电窗口层为氧化锌材料层、氧化铟材料层、氧化锡材料层中的一种。

8.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述低阻透明导电窗口层为氧化锌、氧化铟、氧化锡中的至少一种与铝、硒、镓、铟、镉、锑中的至少一种掺杂形成的堆叠结构。

9.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述采集电极为Ti/W、Al、Ag、Au、Ni、Cu、Cu/Ni、Al/Ni、Ti/Pd/Ag中的一种。

10.根据权利要求1-9任一所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、依次在衬底层上制备背电极层、光吸收层、缓冲层、高阻透明导电窗口层和低阻透明导电窗口层；

S2、制备阵列型纳米孔：采用反应离子刻蚀或感应耦合等离子体刻蚀或湿法腐蚀方法在所述低阻透明导电窗口层上制备阵列型纳米孔，其中阵列型纳米孔的深度小于或等于低阻透明导电窗口层的厚度；

S3、制备采集电极：采用热蒸发的方法在具有阵列型纳米孔结构的所述低阻透明导电窗口层上沉积一层金属层或金属合金层作为采集电极。